電子サイクロトロン共鳴プラズマMO-CVD法によるチタン酸ビスマス薄膜の作製

电子回旋共振等离子体MO-CVD法制备钛酸铋薄膜

基本信息

批准号：
06855075
负责人：
増本博
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.序論高活性のプラズマが得られるため、結晶性の高い膜を低温で成膜できる電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマを利用し、ビスマス源として酸化ビスマス(Bi_2O_3)ターゲットを用いたスパッタリングおよびチタン源にチタンテトライソプロポキシド(Ti(C_3H_7O_<12>)_4)を用いたCVDを同時に用いるECRプラズマスパッタCVD法を用いて、チタン酸ビスマス(Bi_4Ti_3O_<12>)薄膜の合成および薄膜の評価をおこなった。2.実験条件 BIT薄膜の作製には、ECRプラズマスパッタCVD装置を使用した。Ti源は、オイルバスで加熱(316〜363K)し、Arをキャリアガス(25SCCM)として反応炉内に導入された。Bi源は、ターゲットとしてリング状に成型され、スパッタガス(Ar(5SCCM))を用いてRF(300〜700W)スパッタされた。基板にはMgOを用い、873Kまで加熱された。酸化ガスとしてO_2(20SCCM)を用いた。炉内圧力は1×10^<-3>Torrとした。薄膜の組成はICPおよび蛍光X線分析法で、生成膜の結晶構造はX線回析法で調べた。膜の厚さは表面段差計で測定した。3.結果組成制御性を調べるため、CVDおよびスパッタをそれぞれ単独で行った。Bi源はスパッタRF出力を変化させることで、Ti源はTiバブラ-の温度を上昇させることによってBiおよびTiの供給量をコントロール出来ることがわかった。膜組成がBIT定比組成になる条件は、RF出力500W、Tiバブラ-の温度340Kであり、そのときの薄膜のX線回析パターンはBIT単相であった。膜組成がTi過剰で合成した膜はBITとBi_2Ti_2O_7との混相であり、Bi過剰で合成した膜はBITとBi_<12>TiO_<20>との混相であった。成膜速度は約0.8μm/hであった。4.今後の展開現在、最適作製条件の探索および誘電特性の評価を行っている。

1。介绍获得高度活性的血浆，我们使用了电子旋转蛋白共振（ECR）血浆，该血浆允许在低温下沉积高度结晶膜，并使用氧化物（BI_2O_3）靶标的ECR等离子体溅射CVD方法作为bismuth source和cvd作为titanium tetraium tetraisopropopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopopox（ti）同时合成二抗二苯甲酸酯（BI_4TI_3O_ <12>）_ 4以评估薄膜。 2。实验条件：使用ECR等离子体溅射CVD设备来制造位薄膜。将Ti源在油浴（316-363K）中加热，并以AR作为载气（25SCCM）引入反应堆。 The Bi source was molded into a ring shape as a target and sputtered using sputtering gas (Ar(5SCCM)) (RF (300-700W). The substrate was heated to 873K using MgO. O_2 (20SCCM) was used as the oxidation gas. The pressure inside the furnace was 1×10^<-3>Torr. The composition of the thin film was examined by ICP and X-ray fluorescence analysis,通过X射线衍射来检查膜的晶体结构。 RF输出和340 K的Ti起泡器，当时薄膜的X射线衍射模式是单相。膜形成速度约为0.8μm/h。 4。未来的发展目前，我们正在寻找最佳制造条件并评估介电特性。