光MOVPEによる広エネルギーギャップ半導体薄膜の低温成長に関する研究
光学MOVPE低温生长宽能隙半导体薄膜研究
基本信息
- 批准号:01750262
- 负责人:
- 金额:$ 0.64万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1989
- 资助国家:日本
- 起止时间:1989 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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平松 和政其他文献
Nano-windowを用いたELO法で成長させたGaNにおける転位挙動の解析
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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平松 和政
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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光退色後蛍光回復法による微小領域の脂質二分子膜流動性評価
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- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
福田 涼;山木 佑太;林 侑介;三宅 秀人;平松 和政;大嶋梓,住友弘二,中島寛 - 通讯作者:
大嶋梓,住友弘二,中島寛
r 面サファイア上への a 面 AlN 成長におけるバッファ層の成長温度およびバッファ層アニール条件依存性
r面蓝宝石上a面AlN生长中缓冲层生长温度和缓冲层退火条件的依赖性
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
林 家弘 ;山下 泰弘 ;三宅 秀人;平松 和政 - 通讯作者:
平松 和政
平松 和政的其他文献
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炭化ケイ素を用いた高品質窒化物半導体によるシリコン基板上短波長半導体レーザの実現
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$ 0.64万 - 项目类别:
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III-V族化合物混晶半導体の組成不均一性の評価に関する研究
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60780074 - 财政年份:1985
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TiC-TiB2颗粒喷射成形原位合成及其对M2高速工具钢共晶碳化物形成与演化的影响
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