高不整合半導体ヘテロエピタキシーにおける基板結晶表面の制御
高度失配半导体异质外延中衬底晶面的控制
基本信息
- 批准号：63750015
- 负责人：
- 金额：$ 0.64万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1988
- 资助国家：日本
- 起止时间：1988 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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平松 和政其他文献
Nano-windowを用いたELO法で成長させたGaNにおける転位挙動の解析
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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平松 和政
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溅射AlN薄膜的高温退火和HVPE方法的同质外延生长/口生长
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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利用光漂白后的荧光恢复评估微区域脂质双层膜的流动性
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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「Si加工基板に形成した脂質二分子膜の光退色後蛍光回復法による流動性評価」
“光漂白后使用荧光恢复法评估硅处理基材上形成的脂质双层膜的流动性”
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
河合 祥也;三宅 秀人;平松 和政;大嶋梓，住友弘二，中島寛 - 通讯作者：
大嶋梓，住友弘二，中島寛
r面サファイア上へのa面AlN成長におけるバッファ層厚さ依存性
r 面蓝宝石上 a 面 AlN 生长的缓冲层厚度依赖性
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
林 家弘;玉置 真哉;山下 泰弘;三宅 秀人;平松 和政 - 通讯作者：
平松 和政
平松 和政的其他文献
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{{ truncateString('平松 和政', 18)}}的其他基金
炭化ケイ素を用いた高品質窒化物半導体によるシリコン基板上短波長半導体レーザの実現
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用于实时测量循环生物标志物的植入式生物传感器微系统
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