半導体ナノグレインの光散乱

半导体纳米颗粒的光散射

• 批准号: 62609521
• 负责人: 山本 恵一
• 金额: $ 1.79万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1987
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1987 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62609521/
• 关键词: グレイン成長; ラマン散乱; 表面増強ラマン散乱; 超微粒子; 半導体ドープガラス

本研究の目的は, 半導体ナノグレインの特異な光散乱特性を明らかにし, 光散乱法のグレイン表面の研究に対する有効正を実証することである. 本年度は, この目的に沿って以下のような研究を実施し, 以下の結果を得た.1.SiGe混晶膜でのグレイン成長と光散乱Si及びGeターゲットを同時スパッタして得られるSiGe混晶膜を熱アニールし, 高分解能電顕観察及びラマン測定を行った. as-depositedのSiGe膜の電子線回折はハローパターンとなり, いわゆるアモルファス膜である. しかし高分解能TEM像には, 約2nmの結晶グレインに対応した格子縞が明確に現われており, この膜がナノグレインの集合体であることが判明した. 膜を熱アニールすると, ラマンスペクトルはブロードなものからシャープなものに変化する. これはナノグレインが約20nmの大きさまで成長したことによる. これらの結果は, ブロードなラマン成分がナノグレイン表面からの信号であることを示唆している.2.半導体ナノグレイン上での表面増強ラマン散乱通常, 表面増強ラマン散乱は金属表面に吸着した分子についてしか観測されていないが, GaP, ZnTe, ZnO等のナノグレイン上に銅フタロシアニンを蒸着してラマン散乱を観測した所, 最大700倍におよぶ強度増大が観測できた. この増強の大部分は, グレイン表面での電場の増強によって説明できる.3.マトリックス中のナノグレインSiOとCuClの同時蒸着, SiO_2とCdSeの同時スパッタリングにより, それぞれSiOx膜に埋め込まれたCuClグレイン, SiO_2膜に埋め込まれたCdSeグレインの良好なサンプルが得られた. 今後これらの光吸収, 発光, 光散乱の測定を行う予定である.

这项研究的目的是阐明半导体纳米的独特光散射特征，并证明了今年光散射方法的研究有效性。获得的.1.1。晶粒的生长和散落的Si和GE目标同时是溅射的，并且获得的SIGE混合晶体是加热的，高分辨率的能力观察和观察sige膜的线膜是一种光晕，因此是一种所谓的无定形膜，事实证明，如果膜的收集是纳米的。这是由于大约20 nm的生长。尽管观察到铜鞭毛，但可以通过增强晶粒表面上的电场来解释表面纳米晶状体SIO和CUCL在基质中，同时插入SIO_2和CDSE，嵌入Siox膜中的CUCL晶粒中，嵌入SIO_2膜中。发射和未来的光散射。

项目成果

林 真至 他: 月刊フィジックス. VOL.1. 1-5 (1988)

Masashi Hayashi 等人：《物理学月刊》VOL.1-5 (1988)。