異方的スピングラスの逐次相転移と磁気励起

各向异性自旋玻璃中的顺序相变和磁激发

基本信息

批准号：
62540220
负责人：
村山茂幸
金额：
$ 0.7万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1987
资助国家：
日本
起止时间：
1987 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62540220/
关键词：
スピングラス磁気異方性比熱相転移亜鉛マンガン

项目摘要

スピングラス転移に対する一軸性の異方性の影響を明らかにするため, 六方晶でイジング型の希薄磁性合金ZnMnの単結晶試料を作成し, He^3-He^4希釈冷凍機を用いて0.1K<T<4.2Kの範囲で, 断熱法による磁気比熱の測定を行なった. 実験に用いた試料は, 温度を下げるとともにTg11=0.77Kでスピンのc軸(容易軸)方向成分のみ凍結する縦スピングラス相, Tg〓=0.29Kで横方向(C〓)のスピン成分も凍結する混合スピングラス相へと2段階に逐次転移するMn濃度600ppmのものである.実験の結果得られた磁気比熱はTg11よりやや高温で最大となり, Tg11及びTg〓では特に異常は見られず滑らかに温度変化する. この様な温度依存性は通常のスピングラスと同様である. 又, 低温では典型的なT-リニア則に従わず, T^n(n=2), 又はギャップ型のexp(-△/T), (△〜0.5K)によくフィットする. どちらが良い近似になっているかはより低温の比熱から明らかになるものと考えられる. いずれにせよこうした温度依存性は低温での微少な磁気励起に異方性が反映したものと考えられる.次にc軸に平行に外部磁場を加えて比熱の外場依存性を測定した. その結果, 2K以下では磁気比熱は外場とともに減少し, この負の磁場依存性はTg11近傍で偉大となることが分った. スピングラスオーダーがTg付近の比熱に強い磁場依存性をもたらすことはCuMnですでに報告されているが, 特にZnMnの場合, 得られたこの様な異常がスピンの縦方向成分の凍結と密接に関係するものと考えられる.現在, 外場をc軸に垂直(スピンの困難軸)方向に加えて測定を行ない, ZnMnのスピングラス転移の方向依存性を比較研究すべく準備を進めている. 今後, 比熱の測定温度を100mK以下に拡張して, 微細な低温励起の様子をより明らかにして行く計画である.

为了阐明单轴各向异性对自旋玻璃跃迁的影响，制备了Znmn的单晶样品，六角形，ISING型稀释磁合金，并使用He^3-He^He^He^He^He^He^He^He^He^He^He^4稀释冰箱使用热良好方法来测量磁性热。实验中使用的样品是垂直自旋玻璃相，该玻璃相仅冻结在TG11 = 0.77K处的旋转的C轴（易于轴）组件，而Mn浓度为600ppm，在两个阶段将其顺序传输到混合自旋玻璃相中，从而使自旋（C-轴）旋转（C-轴）在TGG = 0.29k = 0.29k。从实验中获得的磁比热的温度略高于TG11，并且TG11和TG〓中没有特定的异常，并且温度变化平稳。这种温度依赖性与普通自旋玻璃的依赖性相似。在低温下，它不遵循典型的T线性规则，并且与T^n（n = 2）或GAP类型exp（ - △/t）（△-0.5K）非常吻合。从较低的温度下的特定热量可以清楚地清楚这是更好的近似值。无论如何，人们认为温度依赖性反映了低温下小磁激发的各向异性。接下来，与C轴平行地应用了外部磁场，以测量特定热的外场依赖性。结果，发现在低于2K的情况下，磁性比随外场减小，而这种负磁场依赖性在TG11附近很大。在cunt中已经报道了自旋玻璃顺序会导致磁场对TG周围的特定热量产生强大的依赖性，但尤其是ZnMN，人们认为所获得的这种异常与自旋的纵向成分的冻结密切相关。当前，通过将外部场添加到C轴（难以旋转）方向，并进行准备以比较ZnMN中自旋玻璃过渡的方向依赖性来进行测量。将来，特定热量的测量温度将延长至100MK以下，以进一步阐明良好的低温激发状态。