重い電子系化合物CeT_2Si_2の磁性と4d遷移金属T置換効果

重电子化合物CeT_2Si_2的磁性与4d过渡金属T取代效应

• 批准号: 06244202
• 负责人: 村山 茂幸
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Muroran Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06244202/
• 关键词: 重い電子系; CeRu_2Si_2; 高濃度近藤効果; メタ磁性転移; 反強磁性相関; フェルミ液体現象; μSR

面心正方晶ThCr_2Si_2型希土類金属間化合物CeRu_2Si_2は,20mKまで常磁性のフェルミ液体状態を保つ重い電子系化合物であるが、70K以下から短距離反強磁性相関が発達することや、磁化の容易軸方向でメタ磁性転移的な磁化過程を示すことから、この化合物は磁気秩序発生の寸前状態にあると考えられる。本研究では,Ruサイトの4d遷移金属T置換効果に焦点を当てて,T置換による高濃度近藤効果,フェルミ液体現象,磁気秩序発生およびメタ磁性転移の系統的変化に関する実験研究を行った。以下にその成果を列挙する。(1)4d電子がRuより多い元素Rh,Pdで置換した系では、T_Kおよびメタ磁性転移磁場H_Mの値がともに低下する。T_Kの濃度依存性は、極小を示したあと、増大に転ずる。これに対し、4d電子がRuより少ない元素Moの置換ではT_K、H_Mとも濃度の増加とともに増大する。(2)RhおよびPd置換では、濃度の増加とともに6K以下の低温で反強磁性的な磁気秩序が誘起され、ふたたび消失する。この磁気秩序発生に伴い、新たな磁化の弱い飛びがH_Mより低磁場で観測されるようになる。(3)T_KのT置換変化はどの元素Tにおいても4d電子数でよくスケールされ、T_Kが低下すると磁気秩序が発生する。一方、H_MのT置換変化はTの濃度でよくスケールされる。(4)Rh・Pd置換において、μSR実験から微視的に反強磁性的な磁気秩序発生が確認された。(5)CeRu_2Si_2のμSR実験から、Ceモーメントの動的ゆらぎの時間が評価された。その結果50K以下でゆらぎの相関時間が低下し、10K以下でほぼ一定になることが分かった。(6)Rh・Ph置換における常磁性と反強磁性の境界濃度領域で、非フェルミ液体現象が観測された。

面部为中心的四方THCR_2SI_2型稀土金属间化合物CERU_2SI_2是一种基于重型电子的化合物，维持高达20 mk的顺磁性费米液态状态，但人们认为，这种化合物是在磁性序列中的磁性序列中的短距离型反量式迁移的播放量，并展示了下面的70 k.磁化的简易轴向。在这项研究中，我们专注于t取代的4D转换金属T型在rusites上的影响，并就高浓度临界效应，费米液体现象，磁性阶命令产生和t型t-取代型的MetAamagnetic转变进行了实验研究。结果如下列出。 （1）在一个系统中，4D电子被大于RU的元素RH和PD取代，t_k的值和元磁过渡场的值都降低了。 T_K的浓度依赖性在最小值后会增加。相反，当4D电子小于RU的元素MO时，T_K和H_M都随着浓度的增加而增加。 （2）在RH和PD取代中，随着浓度升高，抗铁磁磁性稳定性在6K或更低的低温下被诱导，并再次消失。使用此磁性阶，在低于H_M的磁场上观察到了新的弱磁化。 （3）对于任何元素t，T_K的t取代变化均以4D电子的缩放，当T_K降低时，发生磁性顺序。另一方面，H_M的T替代变化在T的浓度下很好地缩放。（4）在Rh·PD取代中，从μSR实验中证实了微观抗磁磁性磁序的产生。 （5）从CERU_2SI_2的μSR实验中评估了CE力矩动态波动的时间。结果，发现波动的相关时间减少了50k或更少，并且在10k或更少的情况下几乎是恒定的。 （6）在RH和pH取代的顺磁性和抗铁磁特性的边界浓度区域中观察到非Fermi液体现象。