ゲート酸化薄膜の低温形成に関する研究
栅氧化薄膜低温形成研究
基本信息
- 批准号：61750274
- 负责人：
- 金额：$ 0.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1986
- 资助国家：日本
- 起止时间：1986 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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