準安定A-15型超電導薄膜における表面弾性波

亚稳态 A-15 型超导薄膜中的表面声波

基本信息

批准号：
61540241
负责人：
秋永正廣
金额：
$ 1.15万
依托单位：
Fukuoka University of Education
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
起止时间：
1986 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61540241/
关键词：
高温超電導体準安定 A-15化合物

项目摘要

準安定A-15型超電導体の【Nb_3】Geは10数年間にわたってその世界最高の高臨界温度記録を保持していたが61年末から62年初頭にかけてセラミック超電導体の高臨界温度改善はまことにめざましいものがあり、臨界温度に関してはA-15化合物は2番目グループになってしまった。このような歴史的な超電導新物質の開発という緊迫した情況の中で本研究は精力的に遂行された。【i】試料作製Nb系のA-15型化合物である【Nb_3】Ge、【Nb_3】【Ge_(1-x)】【Si_x】、【Nb_3】SiをRFスパッタリング法で多数作製した。加熱ヒータの改善,磁場利用,間欠法の採用,同時多試料作製等の努力により作製条件を向上させた。【ii】臨界温度常伝導領域で電気抵抗の金属的振舞を示すものはその超伝導ゆらぎ効果がかなり高い温度から顕著に始まっていることがわかった。又かなり多くの試料が常伝導領域で半導体的振舞を示し電気抵抗対温度のカーブでピークの後に急激な転移を示す。他の研究の慣例に従ってこのピークをTc-onとするとTc-on〜25Kにもなりこれは【Nb_3】Geとしては従来のものより高い値である。【iii】音波測定表面波測定の前段階としてバルク超音波の吸収係数と音速変化を測定した。その周波数伝有性等を解析した。

亚稳态A-15超导体[NB_3] GE在十多年来一直保持着世界上最高的高临界温度记录，但是从1961年底到1962年初，陶瓷超导体的高临界温度的高临界温度确实非常了不起，而A-15化合物在关键温度方面已成为第二组。这项研究是在新的超导材料发展的紧张状态中进行了大力进行的。 [I]样品制备基于NB的A-15化合物，[NB_3] GE，[NB_3] GE（1-X）]，[SI_X]和[NB_3] SI通过RF溅射制备。通过使用磁场，采用间歇性方法和准备同时样品等努力（例如改善加热加热器），已经改善了生产条件。 [ii]已经发现，在临界温度下，正常传导区域电阻的金属行为从相当高的温度开始显着开始。同样，相当多样品在正常传导区域表现出半导体行为，并在电阻与温度的曲线上峰值后突然过渡。如果根据其他研究的实践为TC-ON，则将其变为TC-ON至25K，高于[NB_3] GE的常规值。 [iii]声波测量：将散装超声波的吸收系数和声速变化作为表面波测量的初步步骤。分析了频率传输属性等。