Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie-Untersuchungen zur lokalen elektronischen und magnetischen Struktur atomar definierter Halbleiter(2DEG)-Ferromagnet-Grenzflächen

原子定义半导体（2DEG）-铁磁体界面局部电子和磁结构的低温扫描隧道光谱研究

• 批准号: 5179068
• 负责人: Professor Dr. Roland Wiesendanger
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik (INF)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5179068?language=en
• 关键词: Tieftemperatur; Rastertunnelspektroskopie; Untersuchungen; zur; lokalen

Im Rahmen des Projektes soll die elektronische und magnetische Wechselwirkung ferromagnetischer Inseln mit niederdimensionalen Halbleiterstrukturen anhand des Modellsystems Fe/InAs(110) untersucht werden. Die Fe-Inseln werden in-situ mittels Molekularstrahlepitaxie auf das InAs(110)-Substrat aufgebracht. Das Fe pinnt das Ferminiveau des Halbleiters im Leitungsband und induziert damit ein zweidimensionales Elektronengas in den Halbleiter. Dessen z-Ausdehnung und Elektronendichte kann über die Probendotierung eingestellt werden. Die Fe/InAs(110)-Proben sollen zunächst in-situ mit der Beugung langsamer Elektronen, Augerelektronenspektroskopie, magnetooptischem Kerreffekt und Rastertunnelmikroskopie bei Raumtemperatur charakterisiert werden. Bei Bedarf stehen ex-situ weitere oberflächenphysikalische Methoden wie spinpolarisierte Photoelektronenspektroskopie oder Magnetkraftmikroskopie zur Verfügung. Ausgewählte Proben, deren Fe-Inseln ferromagnetisch sind und die eine glatte Grenzfläche zum Substrat aufweisen, werden dann mit Rastertunnelspektroskopie im Magnetfeld und spinpolarisierter Rastertunnelmikroskopie bei Temperaturen bis hinab zu 300 mK untersucht. Ziel des Projektes ist ein möglichst vollständiges Verständnis der Wechselwirkungen zu erlangen und den Einfluß der zugänglichen Präparationsparameter auf diese zu bestimmen.

Die Fe-Inseln werden 原位 mittels Molekularstrahlepitaxie auf das InAs(110)-Substrat aufgebracht。 Fe/InAs(110)-Proben sollen zunächst 原位 mit der Beugung langsamer Elektronen、Augerelektronenspektroskopie、magneoptischem Kerrefekt 和 Rastertunnelmikroskopie bei Raumtemperatur Charakterisiert werden。自旋极化光电子技术或磁力技术。自旋极化光栅隧道微镜在温度为 300 mK 的情况下。