Intermediates leading to solid GaN, GaP, AIN and AIP. New synthetic methods for molecular oligomers under mild conditions. Spectroscopy and quantum chemical investigations.

产生固体 GaN、GaP、AIN 和 AIP 的中间体。

• 批准号: 5165325
• 负责人: Professor Dr. Hansgeorg Schnöckel
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Anorganische Chemie (aoc)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5165325?language=en
• 关键词: Intermediates; leading; solid; GaN; GaP

Um zu molekularen III/V-Clustern als Vorstufen zu kristallinen Halbleitern zu gelangen, dürfen nicht die klassischen Hochtemperaturreaktionen eingesetzt werden, die thermodynamisch kontrolliert bis zu den Festkörpern ablaufen. Deshalb haben wir durch Vorversuche für das beantragte Projekt ein Syntheseverfahren entwickelt, das von metastabilen GaX- und AlX-Lösungen ausgeht, die bisher nur in unserer Arbeitsgruppe hergestellt wurden. Auf diese Weise sollen mit N- bzw. P-übertragenden Reagenzien neue GaN- bzw. GaP-Oligomere erschlossen werden, die weder am Ga- noch am N- oder P-Atom Substituenten tragen, wie es z. B. bei den gut untersuchten RAlNR-Käfigverbindungen der Fall ist. Die von uns vorgeschlagene Methode ist auf milde Reaktionsbedingungen angewiesen, da bei Temperaturen oberhalb Raumtemperatur die GaX-Lösungen meist in Ga-Metall und das Trihalogenid disproportionieren. Die erforderlichen niedrigen Reaktionstemperaturen bieten bei dieser Reaktion nun den Vorteil, daß unter Umständen auch metastabile GaN/GaP-Oligomere abgefangen werden können, deren Größe sich je nach Reaktionsbedingungen bis in den Nanometerbereich erstrecken kann und schließlich zu den kristallinen Halbleitern führen sollte. Eine derartige maßgeschneiderte Synthese von III/V-Clustern ist als Traumziel des beantragten Projektes anzusehen. Orientierende ab initio-Untersuchungen, die das gesamte Projekt begleiten sollten, zeigen aber bereits heute, daß derartige donorstabilisierte Clusterverbindungen Minima auf der Potentialhyperfläche darstellen.

Um zu molekularen III/V-Clustern als Vorstufen zu kristallinen Halbleitern zu gelangen, dürfen nicht die klassischen Hochtemperaturreaktionen eingesetzt werden, die thermodynamisch kontrolliert bis zu den Festkörpern ablaufen. DeShalb Haben Wir Durch vorversuchefürdasbeantragte projekt ein syntheseverfahren entwickelt，das von von metsastabilen gax- und alx-lösungenausgeht，die bisher nur in Unserer in Unserer in Unserer in in Unserer in in Unserer in New方法是过去的主要因素。新方法是过去的主要因素。该方法是该国发展的主要因素，并且是该国发展的主要因素。 oberhalb raumtemperatur die gax-lösungenMeist在Ga-metall und das triagogenid debroporportialIn中。 Die Erforderlichen niedrigen reaktionstemperaturen bieten bieten bieten dieser reaktion nun den den vorteil，daßun-unterumständenumständenauch uch auch auch gan/gap-oligomere abgefangen abgefangen werdennen werdennen werdennen werdennenkönnen SchließlichZu den kristallinen halbleitern的III/V-Clustern合成是创建一种新型Projektes的主要因素。该机构是开发新型Projektes的重要因素。该机构是开发新型Projektes的重要因素。该机构是开发一种新型Projektes的重要因素，包括Initious-untersuchungen，Die Das Gesamte，该机构是Projektes过程的一部分，并且是Cluster verbindungen minima auf auf der潜力Hyperflächehyperflächedarstellen的一部分。