イオンビーム技術の基礎科学・工学への応用

离子束技术在基础科学与工程中的应用

• 批准号: 61112003
• 负责人: 藤本 文範
• 金额: $ 32.45万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1985 至 1987
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61112003/
• 关键词: チャネリング; 共鳴励起; 超微細構造相互作用; 核スピン偏極; PIXE法; RBS法; ERDA法; 格子位置; 表面再配列構造; 核反応法; 斜膜通過法; ヘテロ界面構造; 原子制動放射; ダブルアラインメント法; X線造影剤; チャネリング; 共鳴励起; 超微細構造相互作用; 核スピン偏極; PIXE法; RBS法; ERDA法; 格子位置; 表面再配列構造; 核反応法; 斜膜通過法; ヘテロ界面構造; 原子制動放射; ダブルアラインメント法; X線造影剤

本研究は、共鳴励起の研究,偏極イオンの注入の研究,固体表面・界面の構造・分析研究,等のグループに分かれて進められた。1.共鳴励起の研究ではHeイオンによるコンボイ電子スペクトル測定と並行して、精密4極スリットを作製し、75〜90MeVのNeイオンを金の単結晶薄膜で〈111〉軸チャネリングさせ、荷電状態9+と10+の比の変化により6次の共鳴励起が起こっていることを確認した。また、Heイオンの表面チャネリングでは、共鳴励起の条件下でも荷電分布には変化が見られなかった。これは表面近傍での荷電変換確率が大きいためと考えられる。2.オンラインエネルギー時間高速分析装置を完成し、薄膜通過型スピン偏極生成制御装置と併用して、短寿命ベータ放射性核の【^(12)N】の、hcp金属Mgおよび強磁性体鉄における超微細構造相互作用の研究を続行中である。また、傾斜膜法による【^8Li】,【^(12)B】の核スピン偏極生成の研究も進めている。3.表面構造の研究ではダブルアラインメント法により、Si(110)16×2再配列構造の原子配列を調べ、表面原子のシフト量を決定した。界面構造の研究ではMOCVD法で作製したヘテロエピタキシャルZnS/GaAs薄膜の界面をHeイオンRBSチャネリング法で調べ、欠陥濃度【10^(15)】【cm^(-3)】程度の良質のエピタキシャル膜が得られていることを確認した。表面分析の研究では11Bイオンのチャネリングを用いて水素の存在状態を調べ、Ta、Ni-Mo(3%)合金中での格子位置を決定した。PIXE法による分析の研究では、バックグラウンドを形成する原子制動放射を測定し、理論と比較して良い一致を得た。4.生物学への応用ではPIXE法を温熱処理した動物細胞からの元素流失の測定に応用した。また、イオンビームにより発生したX線を用いてヨウ素化合物を造影剤とする像を得た。

这项研究是在共振激发研究，极化离子植入研究以及固体表面和界面的结构和分析研究中进行的。 1。在共振激发的研究中，与使用HE离子对车队电子光谱的测量平行制造，并在单个晶体金膜上将75至90 MeV的NE离子引导到<111>轴上，并确认由于第六级谐振激发的量是否会发生在六阶的谐振范围内，并且在两者之间发生了变化。此外，即使在共振激发条件下，在HE离子的表面通道中的电荷分布中也没有观察到任何变化。这被认为是由于表面附近的电荷转换率很大。 2。在线能量时间高速分析仪已经完成，并正在继续研究HCP金属MG中短寿命的β放射性核素和铁磁铁与薄膜 - 允许的自旋偏振控制器的超微结构相互作用。我们还使用梯度膜法进行了研究[^8li]和[^（12）b]的核自旋极化的生成。 3。在对表面结构的研究中，通过双对齐法检查了Si（110）16×2重排结构的原子排列，并确定了表面原子的变化量。在界面结构研究中，使用HE ION RBS渠道方法检查了由MOCVD方法制造的杂音ZnS/GAAS薄膜的界面，并确认获得了具有[10^（15）]和[CM^（-3）]的缺陷浓度的高质量外生膜。表面分析研究使用了11B离子的通道来确定氢的存在，并确定了TA，Ni-MO（3％）合金中的晶格位置。 Pixe分析研究测量了背景形成的原子Bremsstrahlung，并与理论相比获得了良好的一致性。 4。在生物学应用中，将Pixe方法应用于测量热处理动物细胞的元素损失。此外，使用X射线获得了由离子束生成的X射线获得的使用碘化合物作为对比剂的图像。