イオンビーム技術の基礎科学・工学への応用

离子束技术在基础科学与工程中的应用

基本信息

批准号：
62102003
负责人：
藤本文範
金额：
$ 36.93万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1985
资助国家：
日本
起止时间：
1985 至 1987
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は, 共鳴励起の研究, 偏極イオンの研究, 固体表面・界面の構造・組成の研究, 生物・化学への応用等のグループに分かれて進められた.1.共鳴励起の研究では, 75〜100MeVのNeイオンをAu〈111〉軸チャネリングさせ, 共鳴励起条件下でのNe^<9+>KX線の増加を検出し, オコロコフ効果の観測に成功した. また, 表面チャネリングでは, コンヴォイ電子が動的鏡像力で加速されることが分かった.2.偏極イオンの研究では, オンラインエネルギー時間高速分析装置, 薄膜通過型スピン偏極生成制御装置を組み合わせ, 核反応生成短寿命ベータ放射性核分離装置を完成し, 磁性・非磁性金属における超微細構造相互作用の研究を進めた. また, 傾斜膜法により, 高速重イオンで数%の偏極を得た. 理論面では強磁性鉄中の軽元素不純物位置の計算が完成した.3.表面構造の研究では100keV陽子の表面小角散乱を高分解能(30eV)で測定し, 表面第1.2層からのピークを見いだした. 界面構造の研究ではZnSe-ZnS界面の緩和状態を調べた. また, チャネリングーブロッキング法で, Si表面上の炭化層の組成, 格子不整合を調べた. 表面分析の研究では^<11>Bイオンのチャネリングを用いて水素のNi合金中での格子位置を調べ, 不純物の水素捕獲を見いだした. Wの(100)清浄表面に吸着した水素を^<15>Nイオンによる核反応を用いて定量し, その熱振動エネルギーの測定に成功した. PIXE法による分析の研究では, 結晶分光器と位置検出器を用いて分解能3eVの高分解能PIXE法を開発した.4.生物学への応用ではイオンビームを13C, 19Fトレーサの定量に用いた. また, PIXE法で細胞膜構造の温度変化を調べ, Kイオンの流出, Caイオンの吸着を見いだした. 有機化学への応用ではカチオニゼーションを利用した有機質量分析法の開発を進めた.

这项研究分为诸如共振激发的研究，对极性不平衡的研究，固体表面和界面结构和组成的研究，应用于生物学和化学。在谐振兴奋下的NE^<9+> KX射线的增加，事实证明电子通过动态镜2加速。时间高速度分析设备，薄膜通过自旋型极发电机和核反应产生的短寿命β放射性。理解的。此外，倾斜的膜方法获得了高速乘法极性的计算。然后，我们发现了高分辨率（30 eV），并从表面1.2层进行峰值，我们检查了Znse-Zns界面的宽松状态。 SI表面上的网格不规则性。 ^<15> n离子成功地分析了Pixe方法，使用晶体光谱和位置检测设备，开发了3EV 3EV 3EV的高分辨率Pixe方法。是13c，用于tracea的定量量。法律的发展被提升。