Analysis of Temperature Distribution in Nanoscale Electron Devices

纳米级电子器件中的温度分布分析

基本信息

  • 批准号：
    26870574
  • 负责人：
    TAKAHASHI Tsunaki
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    Keio University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

暂无数据

项目成果

期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
高熱伝導率 BOX SOI FinFET のアナログおよび I/O 動作特性評価
高导热性 BOX SOI FinFET 的模拟和 I/O 操作特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    高橋綱己;内田建
  • 通讯作者：
    内田建
Thermaｌ-aware Device Design of Nanoscale Electronic Devices for More Moore and More-than-Moore Applications
适用于更多摩尔和超摩尔应用的纳米级电子器件的热感知器件设计
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Takahashi;T. Matsuki;T. Shinada;Y. Inoue;and K. Uchida;河野暢明;河野暢明;K. Uchida and T. Takahashi
  • 通讯作者：
    K. Uchida and T. Takahashi
Nanoscale Thermal Management of Single SnO2 Nanowire: pico-Joule Energy Consumed Molecule Sensor
  • DOI：
    10.1021/acssensors.6b00364
  • 发表时间：
    2016-08-01
  • 期刊：
    ACS SENSORS
  • 影响因子：
    8.9
  • 作者：
    Meng, Gang;Zhuge, Fuwei;Yanagida, Takeshi
  • 通讯作者：
    Yanagida, Takeshi
Direct Evaluation of Self-Heating Effects in Bulk and Ultra-Thin BOX SOI MOSFETs Using Four-Terminal Gate Resistance Technique
  • DOI：
    10.1109/jeds.2016.2568261
  • 发表时间：
    2016-05
  • 期刊：
    IEEE Journal of the Electron Devices Society
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Tsunaki Takahashi;T. Matsuki;T. Shinada;Y. Inoue;K. Uchida
  • 通讯作者：
    Tsunaki Takahashi;T. Matsuki;T. Shinada;Y. Inoue;K. Uchida
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