Control of defects and carrier density in GeSn layer

GeSn层中的缺陷和载流子密度的控制

基本信息

  • 批准号：
    26870261
  • 负责人：
    Takeuchi Wakana
  • 金额：
    $ 2.5万
  • 依托单位：
    Nagoya University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（34）
专著数量（0）
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专利数量（0）
Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers
Ge1-xSnx 外延层电活性缺陷的控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Asano;S. Shibayama;W. Takeuchi;M. Sakashita;O. Nakatsuka;S. Zaima
  • 通讯作者：
    S. Zaima
In situ phosphorus doping of Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers by low-temperature metal-organic chemical vapor deposition
低温金属有机化学气相沉积法原位磷掺杂Ge和Ge1-xSnx外延层
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Ike;W. Takeuchi;O. Nakatsuka and S. Zaima
  • 通讯作者：
    O. Nakatsuka and S. Zaima
Characterization of Shallow-and Deep-Level Defects in Undoped Ge1-xSnx Epitaxial Layers by Electrical Measurements
通过电测量表征未掺杂 Ge1-xSnx 外延层中的浅层和深层缺陷
Growth of Heavily Doped n-Ge Epitaxial Layer by In situ Phosphorus-doping with Low-temperature Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
低温金属有机化学气相沉积原位掺磷生长重掺杂n-Ge外延层
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Ike;W. Takeuchi;O. Nakatsuka;and S. Zaima
  • 通讯作者：
    and S. Zaima
Epitaxial Ge1-xSnx Layers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using Tertiary-butyl-germane and Tri-butyl-vinyl-tin
使用叔丁基锗烷和三丁基乙烯基锡通过金属有机化学气相沉积生长外延 Ge1-xSnx 层
  • DOI：
    10.1149/2.0041508ssl
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    ECS Solid State Letters
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Inuzuka;S. Ike;T. Asano;W. Takeuchi;N. Taoka;O. Nakatsuka and S. Zaima
  • 通讯作者：
    O. Nakatsuka and S. Zaima
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  • 通讯作者：
    大林侑平
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