Synthesis of high purity hBN crystals and realization for their new functions

高纯六方氮化硼晶体的合成及其新功能的实现

• 批准号: 23246116
• 负责人: TANIGUCHI Takashi
• 金额: $ 31.7万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23246116/
• 关键词: 六方晶窒化ホウ素単結晶; 遠紫外線発光; グラフェン基板; 六方晶窒化ホウ素; 高圧合成; グラフェンデバイス用基板; フラックス法; 結晶成長; 反応性溶媒

Purposes of this study are synthesis of high purity hBN crystals and realization for their new functions. Band gap of hBN crystal and effect of carbon impurity on intense band edge far-ultraviolet emission of hBN were experimentally clarified. For applications as substrates for graphene, function of hBN graphene layered structure as well as hBN MoS2 structures were investigated on the basis with international collaborations. Fundamental research to understand doping mechanism of large size mismatch system were carried out in the system of Ce doped cBN and AlN.

这项研究的目的是合成高纯度HBN晶体的新功能。实验阐明了HBN晶体的带隙以及碳杂质对HBN的强带边缘发射的影响。对于用作石墨烯的底物的应用，根据国际协作研究了HBN石墨烯层层结构以及HBN MOS2结构的功能。在CE掺杂的CBN和ALN系统中，进行了了解大尺寸不匹配系统的掺杂机制的基本研究。

项目成果

高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有

一种高氮过渡金属氮化物的生产方法及高氮含量

• 发表时间: 2011

Band alignment of zinc-blende and chalcopyrite semiconductors : Effects of misfit dislocations

闪锌矿和黄铜矿半导体的能带排列：失配位错的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: T. Honma;T. Komatsu;F.Oba
• 通讯作者: F.Oba

Synthesis of hBN single crystals under high pressure and high temperature

高压高温六方氮化硼单晶的合成

• 发表时间: 2011
• 作者: 三好正悟;田丸奏;Kim Dongyoung;Yoon Joonyoung;山口周;T.Taniguchi
• 通讯作者: T.Taniguchi

六方晶窒化ホウ素単結晶の光学特性とその応用

六方氮化硼单晶的光学性质及其应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 太宰 卓朗;濵嵜 容丞;安井 伸太郎;谷山 智康;伊藤 満;渡邊賢司
• 通讯作者: 渡邊賢司

高圧合成法による高純度窒化ホウ素単結晶研究の現状と新しい応用展開

高压合成法高纯氮化硼单晶研究现状及新应用进展

• 发表时间: 2013
• 作者: K. Shinozaki;T. Honma;T. Komatsu;渡邊賢司
• 通讯作者: 渡邊賢司