Control and detection of spin dynamics in semiconductor/ferromagent hybrid structures

半导体/铁剂混合结构中自旋动力学的控制和检测

基本信息

项目摘要

We fabricated three-terminal devices which have a CoFeB/MgO/GaAs magnetic tunnel junction with perpendicular magnetization, and performed magnetotransport and Kerr microscopy measurements to clarify the generation and detection of spin accumulation in GaAs semiconductors. In magnetotransport measurements, we observed typical Hanle effect. However, in Kerr microscopy measurements, the Kerr rotation signal remains even in high in-plane magnetic fields : Bx =+/- 2.0 T. The results suggest that the interface between MgO and GaAs plays crucial role for perpendicular spin injection.
我们制造了具有COFEB/MGO/GAAS磁性隧道连接的三端设备，并具有垂直磁化，并进行了磁转运和KERR显微镜测量值，以阐明GAAS半导体中自旋积累的产生和检测。在磁转运测量中，我们观察到了典型的Hanle效应。然而，在Kerr显微镜测量中，Kerr旋转信号甚至在高平面磁场中仍然存在：BX =+/ - 2.0T。结果表明MGO和GAAS之间的界面对于垂直自旋注射起着至关重要的作用。

项目成果

期刊论文数量（16）
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The effect of an inhomogeneous interface on the transport properties across Fe/GaAs(001) films
非均匀界面对 Fe/GaAs(001) 薄膜传输特性的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    G. Sazaki;H. Asakawa;K. Nagashima;S. Nakatsubo;Y. Furukawa;L.R. Fleet
  • 通讯作者：
    L.R. Fleet
Coherent Manipulation of Nuclear Spins in Semiconductors with an Electric Field
利用电场对半导体中核自旋进行相干操纵
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    中根由太;武田貴志;星野哲久;坂井賢一;芥川智行;K. Kuroda;Y.Ohno
  • 通讯作者：
    Y.Ohno
Mapping of photoexcited local spins in a modulation-doped GaAs/AlGaAs wires
调制掺杂 GaAs/AlGaAs 线中光激发局部自旋的映射
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    J.Ishihara;Y.Ohno;and H.Ohno
  • 通讯作者：
    and H.Ohno
大野研究室
大野实验室
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Correlating the interface structure to spin injection in abrupt Fe/GaAs(001) films
  • DOI：
    10.1103/physrevb.87.024401
  • 发表时间：
    2013-01-02
  • 期刊：
    PHYSICAL REVIEW B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Fleet, L. R.;Yoshida, K.;Hirohata, A.
  • 通讯作者：
    Hirohata, A.
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