An approach from high pressure and high temperature method in order to clarify the mechanism of Kondo semiconductor with novel antiferromagnetic properties.

采用高压和高温方法来阐明具有新颖反铁磁特性的近藤半导体的机理。

基本信息

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室兰工业大学研究员数据库 RD-Soran

三角晶格层状稀土化合物RZn3P3的高压合成及磁性能

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ryo Fujiwara;Tokuro Hata;Ryosuke Yoshii;Tomonori Arakawa;K. Kobayashi;Meydi Ferrier;Raphaelle Delagrange;Richard Deblock;Helene Bouchiat;R. Sakano;A. Oguri;池守慶亮，川村幸裕，林純一，関根ちひろ
通讯作者：
池守慶亮，川村幸裕，林純一，関根ちひろ

室兰工业大学研究员数据库 RD-Soran

填充方钴矿化合物AOs4P12（A=Ca、Sr、Ba）II的热传输特性

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
川村幸裕;出南真吾;林純一;武田圭生;Leonid Salamakha;Andrey Sidorenko;Herwig Michor;Ernst Bauer;郷地順;上床美也;河江達也;関根ちひろ
通讯作者：
関根ちひろ

高压制备方钴矿化合物EuxCo4Sb12的热电性能

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
R. Nakajima;J. Sirimart;K. Nishine;Y. Mona;Y. Kawamura;J. Hayashi;C. Chaichana;C. Sekine
通讯作者：
C. Sekine

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填充方钴矿化合物NdT4P12（T=Fe、Ru、Os）的高压合成及磁性能

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sekine Chihiro;Hayashi Akihiro;Saravanan Janagan;Kawamura Yukihiro;Gotou Hirotada;福井達也，林純一，川村幸裕，関根ちひろ
通讯作者：
福井達也，林純一，川村幸裕，関根ちひろ

CeCoSi 隐藏有序相的结构转变

DOI：
10.7566/jpsj.91.064704
发表时间：
2022
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
Matsumura Takeshi;Kishida Suguru;Tsukagoshi Mitsuru;Kawamura Yukihiro;Nakao Hironori;Tanida Hiroshi
通讯作者：
Tanida Hiroshi

临界压力附近压力控制的CeRu2Al10输运和热力学性质

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.941.1378
发表时间：
2018
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Kawamura Yukihiro;Sekine Chihiro;Matsubayashi Kazuyuki;Uwatoko Yoshiya;Nishioka Takashi
通讯作者：
Nishioka Takashi

CeCoSi 中压力诱导的 Ce-4f 电子的结构相变和可能的价态不稳定性

DOI：
10.7566/jpsj.91.064714
发表时间：
2022
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
Kawamura Yukihiro;Ikeda Kakeru;Dalan Alisha Nurshafiqah Binti Amat;Hayashi Junichi;Takeda Keiki;Sekine Chihiro;Matsumura Takeshi;Gouchi Jun;Uwatoko Yoshiya;Tomita Takahiro;Takahashi Hiroki;Tanida Hiroshi
通讯作者：
Tanida Hiroshi