高エネルギー電子線を用いた新しい機能性材料の作成

利用高能电子束创建新型功能材料

• 批准号: 63604567
• 负责人: 藤田 広志
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1987
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1987 至 1989
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-63604567/
• 关键词: 高エネルギー電子線; 電子線理工学; アモルファス固体化; 異種原子注入; 電子線照射損傷; 非平衡相形成; 過飽和固溶体; 新機能材料; 新素材創生; ノーベルプロセッシング; 高エネルギー電子線; 電子線理工学; アモルファス固体化; 異種原子注入; 電子線照射損傷; 非平衡相形成; 過飽和固溶体; 新機能材料; 新素材創生; ノーベルプロセッシング

AI-T(Tは遷移金属元素でTi、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Mo、W、Auを用いた)系各種金属化合物について系統的に電子線照射誘起アモルファス固体化を調べた。これらのアモルファス固体化は、既に提案した周期律表上の位置に関する条件とともに、個々の結晶構造と互いに隣接する化合物間のなじみとによって決定される。ここでは、これら合金系の中で特に興味あるAI-Zr系合金とAl-Ni合金の2例を見出した。まず、AI-Zr系合金では、AI_2ZrよりAIZr_2に至る8種の化合物は総てアモルファス固体化を起こしたが、それらの両端にある相ではアモルファス固体化を示さなかった。しかも、これらアモルファス固体化した組成範囲は、通常、信じられている谷の深い結晶点とは全く無関係であり、互いに隣接する化合物微粒子間の相互作用が重要であることを示唆している。これに対してAl-Ni系では、AI_3Niを電子線照射することにより隣接したAI_3Ni_2の微細な粒子が照射誘起で析出するが、それと同時にAI_3Niの地はアモルファス化する。この現象は、AI_3NiについてはNiを減少させることによって深い谷の共通点に近づくためにアモルファス固体化したことを示し、アモルファス固体化の機構を調べる上で大変興味深い。また化合物を用いた異種原子注入については、AI中に化合物AISbを用いてSbを注入した結果、純金属を注入した時と同様にAI地内に余分に形成されたFrenkel対が格子歪の除去に重要な役割をすることが判明した。さらに注入によって地がアモルファス固体化する元素の注入速度が異常に速いことを見出し、異種原子注入機構を解明する糸口をつかんだ。今後、上述の試料範囲をさらに拡げ、研究目的達成を計る。

对各种金属化合物进行了系统研究的电子辐照诱导的无定形凝固（T是过渡金属元件，并使用Ti，V，Cr，Mn，Mn，Fe，Co，ni，ni，Cu，cu，Zr，Zr，Mo，W和Au）。这些无定形凝结由已经提出的元素周期表上的位置以及单个晶体结构和相邻化合物之间的熟悉度确定。在这里，我们找到了这些合金系统的两个示例：AI-ZR合金和Al-Ni合金，它们特别有趣。首先，在基于AI-ZR的合金中，从AI_2ZR到AIZR_2，所有八种化合物都表现出无定形固化，但两端的相位均未显示出无定形的固化。此外，这些无定形的固化成分范围通常完全独立于山谷的深晶体，这表明相邻化合物细颗粒之间的相互作用很重要。相反，在Al-Ni系统中，当电子束被AI_3NI辐照时，相邻AI_3NI_2的细颗粒通过辐照沉淀，但与此同时，AI_3NI地面变得无定形。这种现象表明，AI_3NI通过减少Ni而被固化，以接近深山谷的共同点，这在检查无定形固化机制时非常有趣。此外，关于使用该化合物的杂原子植入，SB使用化合物AISB植入了AI中，因此，发现Frenkel Pairs在AI位点形成的Frenkel Pairs在去除纯属金属的植入时，在去除Lattice菌株中起着重要作用。此外，他们发现，使地面被注射无定形的元件的注入速度异常快，并且找到了阐明杂原子植入机制的线索。将来，我们将进一步扩大上述样本范围，并旨在实现我们的研究目标。