高エネルギ-電子線を用いた新しい機能性材料の作成

利用高能电子束创建新型功能材料

基本信息

  • 批准号:
    01604575
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1989 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

平成元年度においては、当研究代表者らのグル-プが開発した電子線照射誘起現象を用いた新素材作製法の内で、特に電子線照射誘起異種原子注入(EII-FAI)について考察を加え、その共通原理を求めることを目的とした。この方法は予め電着、機械的な圧着、熱処理などの手法で標的異種原子よりなる物質の母材の表面、または母材の中に球状とか平板状に分布させておき、それに所定の方向から高エネルギ-電子線を照射して所望の異種原子の注入を行なうものである。総計15種類におよぶ標的異種原子/母材基板の組み合わせについてEII-FAI法の実験を行ない、異常原子の注入速度は次の諸因子に左右されることを明らかにした。a)異種原子物体に電子線照射損傷を発生させる電子の臨界エネルギ-と入射電子の比。後者が前者に対して大きいほど効果的であり、実用的には後者が前者の約3倍以上となると効果的である。b)注入しようとする物体と母相固体の衝突断面積の比。両者は共に電子のエネルギ-に依存するが、前者が後者に対して出来るだけ大きくなる電圧を設定することが効果的である。c)EII-FAIを行なう材料の温度。空孔の不動化する低温ほど有利。d)注入原子と母相原子間の結合力およびそのモ-ドに依存する。すなわち注入原子によってアモルファス化する場合には注入速度は桁違いに速くなる。e)注入原子および母相原子の原子半径比に強く依存する。一般に前者が後者より大きいほど注入は容易となる。f)母相で電子チャンネリング現象が盛んであることを必要とする。
在Heisei的那一年,在我们研究的研究代表中开发了电子线辐射诱导现象的新材料生产方法,尤其是关于电子电线辐射引起的大胆原子注射(EII-FAI)的目的。寻求共同的原则。该方法以球形或平坦的形状分布在物质的表面,该物质是通过电极,机械犯罪和热处理或从预定的方向出现的。线以注入所需的异质原子。实验的EII-FAI方法是靶向异质原子和总物质板的组合,总计15种类型,阐明了异常原子的注入速率取决于以下因素。 a)对不同原子对象造成电子射线辐照损伤的电子临界能的比率。后者越大,它越有效,实际上,如果后者的三倍以上,则实际上是有效的。 b)要注入的物体与母亲的固体之间的碰撞区域的比率。两者都取决于电子能,但是设置尽可能增加后者的电压是有效的。 c)材料执行EII-FAI的温度。低温越低,孔被固定的优势越有利。 d)依靠可注射原子和父相原子与模式的mod之间的结合力。也就是说,当通过注射原子使无定形时,注入速度变得更快。 e)在很大程度上取决于可注射原子的原子半径和被提名的原子。通常,注射比后者容易。 f)必须在母相中具有电子通道现象。

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Fujita: "Ultra-high voltage electron microscopy and its application to new research fields in materials science" Iron and Steel Inst.Japan. 30. 70-81 (1990)
H.Fujita:“超高压电子显微镜及其在材料科学新研究领域的应用”,日本钢铁研究所。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
藤田広志: "超高電圧電顕法によるミクロの研究室" 金属. 59. 22-31 (1989)
Hiroshi Fujita:“使用超高压电子显微镜的微型实验室”金属,59. 22-31 (1989)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Fujita: "The research center for ultra-high voltage electron microscopy at Osaka University" Journal of Electron Microsc.Tech.12. 201-218 (1989)
H.Fujita:“大阪大学超高压电子显微镜研究中心”Journal of Electron Microsc.Tech.12。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Mori: "Present status and future of in situ experiments with HVEM" Journal of Electron Microsopy.38. S66-72 (1989)
H.Mori:“HVEM 原位实验的现状和未来”《电子显微镜杂志》38。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Mori: "High-resolution electron microscope studies of irradiation induced crystalline-to-amorphous transition in B_4C" Phil.Mag.Lett.,. 61. 49-53 (1990)
H.Mori:“照射诱导 B_4C 中晶体到非晶态转变的高分辨率电子显微镜研究”Phil.Mag.Lett.,。
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  • 发表时间:
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