電子構造に段差を有するナノ共役系の構築と階層制御

具有电子结构步骤的纳米共轭系统的构建和分级控制

• 批准号: 19022019
• 负责人: 安蘇 芳雄
• 金额: $ 1.92万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19022019/
• 关键词: オリゴチオフェン; 分岐型オリゴチオフェン; 光誘起分子内電荷移動; 自己会合; πスタック; 光電変換素子; ペリレンビスイミド; ラジカルイオン; 分岐型オリゴチオフエン; 酸化還元電位; 電界効果トランジスタ; フラーレン

共役系の電子構造制御による多機能階層の創製を目的とした電子構造に段差を有する次世代ナノ共役系の構築として, 前年に引き続き以下の研究を遂行した。多分岐型オリゴチオフェンが高い溶解性にもかかわらず強い自己会合特性を有し, 薄膜状態で良好な正孔キャリア移動度を示したので, 分岐構造の複数の末端に電子キャリア担体としてアルキル基の導入で溶解性が確保でき, πスタックに好都合な平面性と高いアクセプター性を有するペリレンビス(ジカルボキシイミド)ユニットの導入を行った。蛍光スペクトルではオリゴチオフェン部励起, ペリレンビスイミド部励起, いずれの場合も蛍光強度の著しい減少が観測され, 効率的な光誘起分子内電子移動を示唆している。また, ^1NMRスペクトルの濃度依存性から, 中央部が8T化合物の二量化会合定数は3387M^<-1>と高く, MALDI-TOF MSでも会合に由来するピークが観測された。スピンコート薄膜をITOとアルミニウム電極でサンドイッチした有機単層素子を作製して可視光に対する光電変換機能を評価したところ, 外部量子収率は, 分岐を持たない直鎖の比較化合物に比べて一桁以上向上して, 多分岐型に由来する薄膜での会合が大きく寄与していることが示唆された。過渡吸収-マイクロウエーブ伝導度測定では, 対応するラジカルアニオンおよびラジカルカチオン種の生成が確認され, キャリア移動度は1.3×10^<-2>cm^2V^<-1>s^<-1>の高い値が観測された。

在上一年之后，以下研究是作为下一代纳米偶联系统的一部分，具有电子结构的步骤，目的是通过控制共轭系统的电子结构来创建多功能层。尽管具有很高的溶解度，但高度分支的寡噻吩具有强大的自我关联特性，并且在薄膜状态下表现出良好的孔载体迁移率，可以通过将烷基作为分支结构的多个端的电子载体引入烷基载体来确保溶解度，而Perylenebis（dicarboximide）（dicarboximide）（dicarboximide）（diCarboximide）具有良好的平面属性和高度接受属性。在荧光光谱中，在两种情况下都观察到了寡噻吩区的激发和perybisimide区域的激发，表明有效的光诱导的分子内电子转移。此外，由于 ^1 NMR光谱的浓度依赖性，中央部分中8T化合物的二聚缔合常数在3387m ^<-1>时高，并且在MALDI-TOF MS中观察到了从缔合中得出的峰。当通过将自旋涂层的薄膜与ITO和铝电极夹着有机单层设备时，评估了用于可见光的光电转换函数，并建议外部量子产率是比较分支的线性比较化合物的高度级数，并且是从分支类型中衍生出的薄膜，并贡献了分支类型的相关性。瞬态吸收 - 微波电导率测量证实了相应的自由基阴离子和自由基阳离子物种的形成，高值为1.3×10^<-2> cm^2v^<-1> s^<-1>。

项目成果

Ambipolar characteristics of dendritic oligothiophene/fullerene linkage molecules

• DOI: 10.1246/cl.2007.544
• 发表时间: 2007-04-05
• 期刊: CHEMISTRY LETTERS
• 影响因子: 1.6
• 作者: Negishi, Nobukazu;Ie, Yutaka;Aso, Yoshio
• 通讯作者: Aso, Yoshio

アクセプター部位としてペリレンビスイミド基を持つ分岐型オリゴチオフェンの合成と物性

以苝双酰亚胺基团为受体的支化低聚噻吩的合成及物理性质

• 发表时间: 2008
• 作者: Y.;le;Yutaka Ie;T. Uto;廣瀬智哉;宇都俊彦
• 通讯作者: 宇都俊彦

Synthesis, Properties, and n-Type FET Performances of Difluorodioxocyclopentene-annelated Oligothiophenes

二氟二氧代环戊烯稠化低聚噻吩的合成、性质和 n 型 FET 性能

• 发表时间: 2008
• 作者: Y.;le;Yutaka Ie;T. Uto;廣瀬智哉;宇都俊彦;Yutaka Ie;Toshihiko Uto;宇都俊彦;遠藤克;Toshihiko Uto;Masaru Endou;Yutaka Ie;Yutaka Ie
• 通讯作者: Yutaka Ie

含窒素縮合環化合物, 含窒素縮合環重合体,有機薄膜及び有機薄膜素子

含氮稠环化合物、含氮稠环聚合物、有机薄膜及有机薄膜器件

• 发表时间: 2008

Synthesis and Electronics Application of Modified Oligothiophenes

改性低聚噻吩的合成及电子学应用

• 发表时间: 2007
• 作者: Y.;Aso
• 通讯作者: Aso