スクッテルダイト化合物における重い電子状態と近藤絶縁体状態の理論

方钴矿化合物中的重电子态和近藤绝缘体态理论

• 批准号: 16037204
• 负责人: 佐宗 哲郎
• 金额: $ 1.92万
• 依托单位: Saitama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 2005
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16037204/
• 关键词: スクッテルダイト化合物; CeRu_4Sb_<12>; CeOs_4Sb_<12>; 光学伝導度; 電気抵抗; 熱起電力; 磁気相図; 磁場効果; スクッテルダイト; 重い電子系; 近藤絶縁体; 多体効果; スクッテルダイト化合物; CeRu_4Sb_<12>; CeOs_4Sb_<12>; 光学伝導度; 電気抵抗; 熱起電力; 磁気相図; 磁場効果; スクッテルダイト; 重い電子系; 近藤絶縁体; 多体効果

1.Ce-スクッテルダイト化合物のうちの,CeRu_4Sb_<12>については,バンド計算では絶縁体だが,実験では金属で,矛盾していた。そこで,昨年度に構築したtight-binding模型を改良し,さらに本質的な部分のみを抽出した模型を新たに作った。これは,実験と合う半金属型の模型である。これを用いて,電気抵抗・熱起電力(Seebeck係数)・光学伝導度の計算を行い,半定量的に実験結果を説明することに成功した。(論文印刷中)2.おなじく,CeOs_4Sb_<12>について,実験で,温度0.8Kでスピン密度波への転移が見つかっており,しかも,磁場をかけると転移温度が上昇するという特異な振る舞いを示した。我々は,1.と類似の模型を用い,分子場近似により,この現象を説明することに成功した。(論文発表済)3.強相関電子系における光学伝導度およびホール伝導度の研究:通常金属における交流ホール係数は、R_H(ω)の虚部は殆ど0であり、これはボルツマン近似がよく成り立っていることを意味する。ところが高温超伝導体ではImR_H(ω)は有限のωで極めて大きな値をとり、その値は低温かつ低ドープ領域において非常に大きくなる。我々はR_H(ω)をFLEX近似に基づき、カレントに対するバーテックス補正をω依存性まで考慮して解析し、実験で観測される交流ホール係数の異常な振舞いを良く再現することが出来た。本研究により、高温超伝導体の交流及び直流輸送現象の振舞いが、フェルミ液体の立場からバーテックス補正を考慮することで「統一的に」理解できることが明らかになり、高温超伝導体の正常状態における電子状態の理解が進歩したといえる。(論文発表済)4.Na_<0.35>CoO_2についても,理論的な解析を行った。(論文発表済)

1。在Ce-Skutterudite化合物中，CERU_4SB_ <12>是频带计算中的绝缘体，但在实验中，它是金属，并且是矛盾的。因此，我们改善了去年建立的紧密结合模型，并创建了一种仅提取基本部分的新模型。这是与实验相匹配的半金属模型。使用此功能，我们计算了电阻，热电磁力（Seebeck的系数）和光导率，并以半定量方式成功解释了实验结果。 （在打印过程中）2。同样，在实验中，发现CEOS_4SB_ <12>在0.8K的温度下过渡到旋转密度波，并且还显示了一种独特的行为，其中当应用磁场时过渡温度上升。我们通过使用与分子场近似相似的模型成功地解释了这种现象。 （在本文中发表）3。在强相关的电子系统中的光学和孔电导率研究：正常金属中的交流孔系数在R_H（ω）的假想部分中几乎为零，这意味着Boltzmann近似值已经很好地确定。但是，在高温超导体中，IMR_H（ω）在有限的ω下采用极大的值，并且在低温和低掺杂区域，该值变得非常大。我们基于flex近似分析了R_H（ω），并考虑了对ω依赖性电流的顶点校正，并能够很好地再现实验中AC HALL系数的异常行为。这项研究表明，可以通过从费米液体的角度考虑顶点校正来“统一地”“统一” AC和DC转运现象的行为，可以“统一”理解，并且可以说，对高灵性超导管正常状态的电子状态的理解得到了改善。 （发表的论文）4.NA_ <0.35> COO_2也是理论分析。 （发表的论文）