近接場光を用いたナノ構造機能制御に関する研究

近场光纳米结构功能控制研究

基本信息

批准号：
12131209
负责人：
伊藤昌文
金额：
$ 12.1万
依托单位：
Wakayama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至 2003
项目状态：
已结题

项目摘要

1.パルス変調電子ビーム励起プラズマを用いた新規マイクロマシニングプロセス本研究では光ファイバや非平面の絶縁体材料等の微細加工を可能とする新規マイクロマシニングプロセスを開発した。反応性イオンエッチングに必要とされる自己バイアスのための外部電源なしに、SiO_2など絶縁体の非平面材料に対するエッチングを行うプロセスとして、パルス変調型電子ビーム励起プラズマを用いたエッチングプロセスを提案した。このパルス変調型EBEPを用いることで、従来のDC制御EBEPを用いたエッチングプロセスにおける問題点であった均一性や基板に対する熱ダメージなどが解消でき、SiO_2エッチングにおいて463nm/minという非常に高速で異方性を有したエッチングが実現できた。このSiO_2エッチングレートは従来法である高速原子ビームエッチングプロセスやイオンビームエッチングプロセスと比較すると、数十倍以上である。これらの結果から、我々が提案したパルス変調型EBEPを用いたプロセスは微小な光学素子の組み込んだマイクロマシンなどの製造において、非常に実用的な新たな絶縁体エッチングプロセスとして期待できる。2.ジアリールエテンを用いた超解像近接場構造による近接場描画本研究では半導体製造技術における次世代露光技術として、超解像近接場構造による近接場描画技術の開発を行った。従来法ではサーモクロミック層となる部分にジアリールエテンを用いた新規近接場光描画用Super-RENSの開発を試みた。波長442nmのHe-Cdレーザの回折限界は604nmであるが、このSuper-RENSを用いることにより線幅450nmの描画に成功した。またジアリールエテンをスピンコートにより保護膜層上に直接形成可能であることから、従来法で問題となっていたレジストとの密着性や熱ダメージの問題を解決できたと考えられる。

1。在这项研究中，使用脉冲调节的电子束激发等离子体进行了新的微加工过程，我们开发了一种新的微加工过程，该工艺能够对光纤和非平面绝缘体材料进行微加工。已经提出了使用脉冲调节的电子束激发等离子体的蚀刻过程，作为蚀刻绝缘子的非平面材料（例如SIO_2）的过程，而没有外部动力来源，以进行反应性离子蚀刻所需的自偏源。通过使用这种脉冲调制类型的EBEP，消除了使用常规DC控制的EBEP等蚀刻过程的问题，例如对基板的均匀性和热损伤，并以极高的速度和四方型为463 nm/min/min/min/min/min/min andching实现SIO_2蚀刻。该SIO_2蚀刻速率是传统的高速原子束蚀刻过程和离子束蚀刻过程的几十倍。基于这些结果，我们可以期望使用脉冲调制类型EBEP作为一种非常实用的新绝缘子蚀刻过程，用于制造融合了显微镜光学元件的微型机器。 2。在这项研究中，使用陶艺甲基使用超分辨率的近分辨率近距离绘图，我们使用超分辨率近场结构开发了一种近场绘图技术，作为半导体制造技术中的下一代暴露技术。在常规方法中，我们试图开发一种新的超级升源，用于使用二透析烯的近地光绘图，以变成热色层的零件。波长为442 nm的HE-CD激光器的衍射极限为604 nm，但是使用此超级额度已成功创建了450 nm的线宽度。此外，由于可以通过自旋涂层在保护膜层上直接形成二透铁烯，因此据信，耐药和热损伤的粘附问题已经解决了常规方法中的问题。