分子構造の制御されたLB膜を用いたMIM接合の磁気トンネリング効果に関する研究

分子结构可控LB薄膜MIM结磁隧道效应研究

基本信息

批准号：
09217204
负责人：
安藤康夫
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09217204/
关键词：
磁気トンネル効果 LB膜 MIM アクリルアミドフェロセンルテニウム IETS

项目摘要

1.LB膜を用いた強磁性トンネル接合の生成強磁性体の電極として80NiFeおよびCo,絶縁体はpoly-N-dodecylacrylamide(PDDA),ferrocenyl-methyle-acrylate(Fc)との共重合体およびRuを用いた.トンネル接合のパタ-ニングはメタルマスクを用い接合面積を100x100〜500x500μm^2の範囲で変化させた.これらの分子のへテロ積層および混合LB膜は光誘起電子移動反応を示した.トンネル抵抗と接合面積は1つの直線状にのる傾向を示し,Al_2O_3を用いた接合と比較して同等の抵抗を示し,分子種による明確な違いは見られなかった.これらいずれの膜を用いても磁気トンネル効果を示しが,ほとんどの接合の磁気抵抗比は1%以下にとどまった.トンネル抵抗の低い接合においては磁気抵抗比の上昇が観測されが,これはgeometrical enhancementにより磁気抵抗比が上昇したものであると結論された.これより機能団であるFcMA,Ruは暗状態ではトンネル特性および磁気抵抗比に影響を及ばさず,DDAによる特性のみで特性が支配されている事がわかった.2.IETSによる金属-有機界面の電子状態の解析PDDAを用いた接合には金属あるいは金属酸化物フォノンによるピークに加え,PDDA分子のCH_2はさみ振動,CH伸縮振動,NH逆対称伸縮振動の各分子振動モードに帰属されるピークが見られ,FT-IRスペクトルのピーク位置と良く一致した.一方,ゼロバイアス近傍に明瞭なピークは観測されなかった.これは両強磁性体電極からの不純物が少ないことを物語っている.また,マグノンモードが少ないことから,界面層の酸化が進行して接合界面のスピン分極率が低下していることがわかった.

1。使用LB膜的80个Nife和CO作为铁磁隧道的电极，以及poly-n-Dodologlacrylamide（PDDA），铁丙烯基丙烯酸酯（PDDA），使用了隧道键合的使用。金属面罩将100x100的范围更改为500x500μm^2。与与Al_2O_3的连接相比，线性具有相同的电阻，并且由于使用了分子，也没有看到任何明显的差异。在低隧道电阻的情况下，观察到磁力比的上升，但这是通过几何增强的几何增强比。隧道特性和黑暗中的磁电阻比仅由DDA的特性控制。有机表面，PDDA分子的CH_2 CH_2振动，CH弹性振动，NH反向指示的延伸振动。另一方面，在零磁电极附近观察到了一个清晰的峰。界面的氧化已经进展，关节界面的自旋极速率也下降了。