低次元分子性導体の磁場誘起相と量子効果における幾何学的位相と電子相関

磁场感应相位中的几何相位和电子相关性以及低维分子导体中的量子效应

基本信息

批准号：
07232206
负责人：
米満賢治
金额：
$ 0.51万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07232206/
关键词：
1次元系電子格子相互ボゾン化繰込み群

项目摘要

最近研究されている分子性導体では電子相関の重要性を示唆するものが多い。カッパ型のBEDT塩は電子間斥力が大きく、実質的にハーフ・フィリングとなって金属絶縁体転移を起こすことが指摘されている。この系は2次元でありフェルミ面のネスティングは弱いが、ウムクラップ過程を考慮した金属絶縁体転移をさらに研究する必要性を示している。DCNQI系は1/3フィルドだが1次元性が強く金属絶縁体転移とともに格子の歪みと磁性の変化が現れている。動的な格子の歪みと金属絶縁体転移の関連をさらに追求すべきである。本研究ではこれらの系を研究する上で有用なボゾン化の方法を拡張うる第一歩として、1次元電子系に動的なフォノンとの結合を加えて、繰り込み群の方程式を導出した。相互作用のうち金属絶縁体転移を起こすのに必要なウムクラップ過程を、ハーフ・フィリングからずれているときも有限のエネルギー・スケールで取り入れる。2次元古典系ではクーロン・ガスを拡張したバーガーズ・ベクトル系と同等になり、ベクトル間の相互作用は対数ポテンシャルと線型ポテンシャルが異方的に組み合わせられたものになる。不完全ガンマ関数やベッセル関数を用いると、解析的に方程式が導かれる。その数値積分により相関指数の固定点を求め、相図を得る。ハバ-ド・モデルにサイト・エネルギーを変化させる電子格子相互作用または転移成分を変化させるそれを加えたところ、ハーフ・フィリング付近ではどちらの場合も4つの相が可能なことが示された。それらは超伝導相関と密度波相関のどちらが優勢か、スピン・ギャップが形成されるか否かによって分類される。2つの電子格子相互作用はスピン・ギャップを開く傾向に大きな差があり、ハーフ・フィリング付近で顕著になる。

许多最近研究的分子导体表明电子相关的重要性。已经指出，喀巴型床的盐具有较大的互电子排斥力，并且基本上填充了金属绝缘子的过渡。尽管该系统是二维的，并且在费米表面上嵌套较弱，但它表明有必要考虑到金属绝缘体过渡，考虑到um抓工过程。尽管DCNQI系统填充了1/3，但它是高度1维的，并且会导致晶格失真和磁性特性的变化以及金属绝缘子过渡。应进一步探索动态晶格失真与金属绝缘子过渡之间的联系。在这项研究中，作为扩展用于研究这些系统的琼脂化方法的第一步，我们通过将动态声子添加到一维电子系统中来得出了重新归一化组的方程。在相互作用中，即使在一半填充的情况下，也会在有限的能量尺度上采用造成金属绝缘体过渡所需的um抓工过程。在二维经典系统中，它等同于汉堡的矢量系统，该系统是一种扩展的库仑气体，矢量之间的相互作用是对数电位和线性电位的各向异性组合。使用不完整的伽马或贝塞尔功能会导致分析方程。相关指数的固定点由数值集成确定，并获得相图。向HAVADO模型显示了更改位点能量或过渡组件的电子晶格相互作用，这表明在两种情况下，两种阶段在半填充附近都是可能的。根据超导相关或密度波相关性是主要的，以及是否形成旋转间隙。两个电子晶格相互作用在打开旋转间隙的趋势上有显着差异，并且在一半填充周围是突出的。