高性能太陽光発電素子の設計と製作

高性能太阳能发电元件的设计与生产

基本信息

批准号：
03203109
负责人：
梅野正義
金额：
$ 19.84万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.Si基板上に10^6cm^<-2>の低転位密度のGaAsを結晶成長する方法を明らかにし、GaAs/Si及び、AlGaAs/Si2端子タンデム型太陽電池を作製し、それぞれ、12.9、16.3%の変換効率を得た。2.セレン蒸気を用いてCuInSe_2薄膜を形成し、フォトルミネセンス法によってその欠陥評価を行い、太陽電池の膜質評価法として有望であることが明らかになった。3.AlGaAs/GaAs太陽電池とInAlAs/InGaAsタンデム太陽電池を作製し、AM1.7において総合変換効率として23.85%が得られた。4.光CVD法によるaーSiC:Hの高品質化におけるHラジカルの役割を明らかにするためHラジカルCVDを試みた。その結果、良質の薄膜を形成する上でHラジカルは有効であることがわかった。5.aーSi/polyーSi4端子接続タンデム太陽電池の実験的最適化を、特に下部セルであるμcSiC/polyーSiヘテロ接合について行い、総合変換効率19.1%を得た。6.シリコンの表面に超微細金属アイランドを施した新型太陽電池の特性を改善するために金属アイランドの大きさ、密度、均一性を精密に制御する方法を検討した。7.水銀増感光CVD法によるアモリファスシリコンの成膜で、膜表面反応に及ぼす長波長の光照射効果を基板温度や光源と基板との距離を変化させ明らかにした。8.(VDF/TrFE)共重合体等の強誘電性有機薄膜の通常の金属・半導体結合やpn接合とは異なる異常光起電力効果の発現機構を利用し、電荷注入層との複合化による発生電流の増加などによる光電変換の高効率化を図った。

1。阐明了Si底物上低位脱位密度为10^6CM^<-2>的GAA的晶体生长方法，制造了GAAS/SI和ALGAAS/SI2末端串联太阳能电池，分别为12.9和16.3％。 2。使用硒蒸气形成cuinse_2薄膜，并通过光致发光评估缺陷，揭示其有希望的方法是评估太阳能电池膜质量的方法。 3。藻类/GAAS太阳能电池和Inalas/Ingaas串联太阳能电池，在AM1.7时获得了23.85％的总转换效率。 4。我们尝试h自由基CVD阐明H自由基在改善A-SIC：H-SIC质量中的作用。结果，发现H自由基在形成高质量的薄膜方面有效。 5。针对下部细胞μCSIC/Poly-Si异质结，对具有A-SI/Poly-SI4末端连接的串联太阳能电池进行了实验优化，从而导致总体转化效率为19.1％。 6。我们研究了一种精确控制金属岛的大小，密度和均匀性的方法，以改善新的太阳能电池在硅表面上具有超铁金属岛的特性。 7。通过改变底物温度以及光源和底物之间的距离，可以阐明对肌硅膜表面反应的长波长光照射效应。 8。使用一种机制来实现异常光伏作用，该机制与非正常的金属 - 轴导剂键合和铁电机有机薄膜的PN连接处（例如（VDF/TRFE）共聚物），我们旨在通过提高光电转换效率来提高由于与电荷入射层的络合而提高光电转换效率。