高性能太陽光発電素子の設計と製作

高性能太阳能发电元件的设计与生产

基本信息

批准号：
04203109
负责人：
梅野正義
金额：
$ 20.48万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.MOCVD法により、Al_<0.1>Ga_<0.9>As/Siタンデム太陽電池と薄膜GaAs/Si太陽電池を作製し、それぞれ、16.3%、16.0%の変換効率を得た。また、YAGレーザ照射により、Si上GaAsの応力を低減できた。2.CuInSe_2薄膜のフォトルミネセンススペクトルと太陽電池特性と密接な関係があることを見いだした。CdS/CuInSe_2とMOCVD成長ZnO膜を用いることにより、変換効率6.6%を得ることができた。3.InAlAs/InGaAs長波長用デバイスとAlGaAs/GaAs中間波長用デバイスを機械的に接合することにより、地上太陽光で26.6%の効率を得た。また、さらに高効率にするためのデバイスの効率計算を行った。4.光CVD法によって製膜した高効率太陽電池用アモルファスSiの改良をはかり、光照射によって導電率に大きな向上が見られた。5.a-Si/poly-Si4端子接続タンデム型太陽電池の各セル及び光学的接続の最適化を行い、100nmの薄膜a-Siセルを採用し、効率20%を得た。6.超微細な金属アイランドを施した半導体を用いる湿式太陽電池て非常に大きな光電圧が出現することを明らかにした。また、この効果をSi太陽電池に応用し、高効率を得た。白金アイランド/シリコンの構造で14.9%の構造を得た。7.水素吸蔵体を用いた炭酸ガスの電気化学的還元を行い、水素吸蔵後に炭酸ガス還元の還元生成物の生成効率や生成速度が増加する事を見いだした。また、超臨界流体中での炭酸ガスの電気化学的及び光化学的還元について詳細を明らかにした。8.強誘電体からバンドギャップより高い開放電圧が発生することを見いだし、高効率化を実現する基盤技術を確立するために有機材料における異常光起電力電流に対するイオンの影響及び電界を利用した強誘電性超薄膜作製を行った。9.トリシランを用いた真空紫外光励起プロセスを採用し、高品質アモルファス膜を作製した。また、欠陥の生成を調べ、分子軌道法を採用し、欠陥発生の理論的検討を行った。

1。Al_<0.1> Ga__ <0.9> AS/Si串联太阳能电池和薄膜GAAS/SI太阳能电池通过MOCVD方法制造，并分别获得了16.3％和16.0％的转化效率。此外，通过YAG激光照射可以减少GAAS对Si的应力。 2.我们发现，Cuinse_2薄膜的光致发光光谱与太阳能电池性能之间存在密切的关系。通过使用CDS/CUINSE_2和MOCVD生长的ZnO膜，获得了6.6％的转化效率。 3。通过机械将Inalas/Ingaas长波长设备与藻类/GAAS中间波长设备粘合，用陆地阳光获得了26.6％的效率。此外，对设备进行效率计算，以使其更有效。 4。通过光学CVD方法形成的高效太阳能电池的无定形SI的改进，通过光照射可大大提高电导率。 5。针对A-SI/Poly-Si4末端连接优化了串联太阳能电池的细胞和光学连接，采用了100 nm的薄膜A-SI细胞，从而效率20％。 6。已经表明，使用半导体的湿太阳能电池与超铁金属岛产生非常大的光伏。此外，将此效果应用于SI太阳能电池以获得高效率。用铂岛/硅结构获得了14.9％的结构。 7。使用氢储存物体对二氧化碳气体的电化学还原，发现氢存储后，二氧化碳气体降低产物的生产效率和生产速率增加了。此外，已经阐明了超临界流体中二氧化碳气体的电化学和光化学还原的细节。 8。我们发现，从铁电材料产生了高于带隙的开路电压，为了建立一种实现高效率的基本技术，我们使用离子对有机材料和电场中光伏异常的光伏电流的影响制造了铁电性超薄膜。 9。通过使用Trisilane采用真空紫外线传激过程来制备高质量的无定形膜。此外，研究了缺陷的产生，采用了分子轨道方法，并进行了缺陷的理论检查。