Nanostrukturierung von Oberflächen mit direkter Extraktion der Ionen aus Plasmaquellen

通过直接从等离子体源提取离子来实现表面纳米结构

• 批准号: 47714861
• 负责人: Dr. Stefan Facsko
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/47714861?language=en
• 关键词: Nanostrukturierung; von; Oberfl; chen; mit

Die selbstorganisierte Entstehung von periodischen Oberflächenmustern durch niederenergetischen Ionenbeschuss resultiert aus dem Zusammenspiel vielfältiger Mechanismen auf und unterhalb der Oberfläche. Ziel der Forschergruppe ist diese Mechanismen zu identifizieren und zu quantifizieren und damit ein Verständnis des Musterbildungsprozesses zu erlangen. In der ersten Periode der Forschergruppe sind hierzu wichtige Beiträge geleistet worden. Ersten wurde festgestellt, dass nicht nur Prozesse an der Oberfläche sondern auch Defekterzeugung und Defektdynamik unterhalb der Oberfläche wichtig sind. Zweitens konnte deutlich gezeigt werden, dass bisherige experimentelle Ergebnisse aufgrund von unkontrolliert deponierten und implantierten Fremdatomen nicht akkurat genug sind um mit Vorhersagen theoretischer Modelle verglichen werden zu können. Damit ergibt sich die Notwendigkeit die experimentelle Datenbasis zu verbessern. Die zweite Periode dieses Teilprojektes soll wie folgt dazu beitragen:i) Unter streng kontrollierten Bedingungen sollen die Phasendiagramme der Musterbildung auf Si gesputtert mit Si+ Ionen und Ge gesputtert mit Ge+ Ionen als Funktion der Energie und Einfallswinkel bestimmt werden. Dadurch sind die Mechanismen, die aus den nuklearen Stößen in der Stoßkaskade resultieren, wohl definiert. Die Phasendiagramme sollen mit Stabilitätsanalysen der theoretischen Teilprojekte verglichen werden und dominante Mechanismen identifiziert werden.ii) Der Einfluss von mischbaren Fremdatomen auf die Musterbildung und die Identifizierung zusätzlicher kollisionärer Mechanismen durch das Deponieren bzw. Implantieren von Fremdatomen soll durch Untersuchungen der Musterbildung auf Si mit Ge+ und auf Ge mit Si+ Ionen untersucht werden. Aufgrund der guten Mischbarkeit von Si und Ge sind hierbei die Ausbildung von sekundären Phasen sowie die Segregation der Fremdatome nicht zu erwarten. Dennoch könnte eine laterale Konzentrationsmodulation zusätzlich zu der Musterbildung auftreten und diese beeinflussen.iii) Und schließlich soll der komplexe Fall der Musterbildung mit metallischen Fremdatomen, die mit dem Si sekundäre Phasen bilden (Silizide) oder entmischen können, untersucht werden. Dies soll ebenfalls mittels Beschuss von Si und Ge Oberflächen mit Ionenstrahlen ausgewählter Metalle durchgeführt werden. Aufgrund der besonderen Bedeutung sollen dazu Fe, als vorwiegend auftretendes Fremdatom beim Sputtern, Ga als Ionen der fokussierten Ionenstrahlen und Bi als Vergleich zum TP9 (Bischoff/Heinig) für komplementäre Untersuchungen zur neuartigen Musterbildung durch Clusterionen eingesetzt werden.

Die selbstorganisierte Entstehung Von odisschenoberflächenmusterndurch niederenergetischen ionenbeschuss ionenbeschuss resultiert aus dem demzusammenspielVielfältigernagimenauf auf unterhalb unterhalb deroberfläche。 Ziel der Forschergruppe IST DIESE机构ZU nistifizieren und Zu Quantifizieren und Damit einverständnisdes musterbildungsprozesses Zu Erlangen。在derersten earde der der forschergruppe sind hierzu wichtigebeiträgegeleistet worden。 Ersten Wurde Festellt，Dass Nicht Nur prozesse an deroberflächeSondernauch defekterzeugung und defektdynamik unterhalb deroberflächewichtig wichtig sind。 Zweitens konnte deutlich gezeigt werden, dass bisherige experimentelle Ergebnisse aufgrund von unkontrolliert deponierten und implantierten Fremdatomen nicht akkurat genug sind um mit Vorhersagen theoretischer Modelle verglichen werden I will not let my family die, sol wie folgt dazu beitragen：i）不得强，beddingungen sol dazu beitragen：i）不得强，beddingungen sol缓解，缓解等等，si+ ionen und geesguttert缓解，ge+ ge+ ionen als funktion fungie fungie dergie und enforgie und einfallswinfSwinkinkellswinkinkeldemmmmmmmmmmt werden werden。 DeDurch Sind Die机构，Destoßkaskadeructieren的Die Aus den NuklearenStößen，Wohl Definiert。 die phasendiagramme sollen sollen mitstostätsanalysender theoreTischen teilprojekte verglichen werden werden werden and dominante机制识别werden.ii）der einfluss von von von von von von von mischbaren fremdatomen fremdatomen auf die die die dieifififigung dieififizeroung dieigrich dierigurn diefirich dierigurch Deponieren BZW。所谓的“由于世界是死亡的好地方”。 UndateSchließlichSoll der Komplexe秋季Musterbildung Mit Metallischen Fremdatomen，Die Mit Dem dem demsiekundärePhasen Bilden（Silizide）Oder EntmischenKönnen，Untersucht Werden。死亡soll ebenfalls beschuss von si undgeberflächenmit ionenstrahlenausgewählterMetalleDurchgeführtWerden。 Aufgrund der besonderen Bedeutung Sollen Dazu Fe，Als Vorwiegend Auftretendes Fremdatom Beim Sputtern，1世纪是过去TP9（Bischoff/Heinig）的主要因素，而1世纪是一个主要因素，是Mussterbilldung durch durch durch durch durch durch clusterbillidbillignung durch clusterbbisterionenenecteeneenecterieneneenecteennecteennecteentecte werdend。