酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究

氧化物高温超导体特有的超晶格结构所产生的电子现象的阐明和功能化研究

基本信息

  • 批准号:
    05224213
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、銅酸化物系高温超伝導体の超伝導発現を担う金属的CuO_2層とこれを分離する非金属的ブロック層の交互の積層による自然超格子構造とこれに基づく異方的電気磁気的特性に着目し、これに起因する高温超伝導体固有の新しい電子現象の探索・究明と、その機能化(デバイスへの応用)を図ることが目的である。本年度は、(Bi,pb)_2Sr_2CaCu_2O_y結晶(T_c〜80K)固有のジョセフソン接合的振舞を明確にすると共に、そのデバイス化への道を拓くべく、種々のPb組成の結晶を成長し、その結晶構造を調べ、c軸方向のジョセフソン接合特性についてマイクロ波応答特性を測定し検討を行った。得られた結果は以下のようにまとめられる。1.(Bi_<1-x>Pb_x)_2Sr_2CaCu_2O_y(0≦x≦0.5)単結晶を溶融法により成長し、x=0のとき、最大約15×12×0.6mm^3の結晶を成長することに成功した。結晶のサイズはPb仕込量の増加とともに減少した。Bi_2Sr_2CaCu_2O_yのもつ変調構造は0≦x<〜0.3の結晶において保持され、〜0.3≦xの結晶では消失した。2.同結晶のc軸方向の電流-電圧特性は、xの如何にかかわらず分枝を伴うヒステリシス特性を示し、いずれの結晶もc軸方向に多数のジョセフソントンネル接合が直列構成されていることを確認した。3.Bi_2Sr_2CaCu_2O_y結晶に8-10GHzのマイクロ波を照射し,その応答を調べた。マイクロ波電力が比較的低いとき、電流-電圧特性上に交流ジョセフソン効果による定電圧ステップが誘起され、結晶中の約100個のジョセフソン接合に位相ロックが生じた。一方、マイクロ波電力が比較的大きいとき、結晶ジョセフソン接合内に磁束量子が導入され、その運動と電磁波とによる同期現象が発生することを見出した。
This research focuses on the natural superlattice structures by alternating stacking of metallic CuO_2 layers that are responsible for the superconductivity of copper oxide-based high-temperature superconductors and the anisotropic electromagnetism properties based on these, and the aim of searching and exploring new electronic phenomena unique to high-temperature superconductors resulting from this, and to functionalize them (applying them到设备)。在今年,为了澄清(BI,PB)_2SR_2CACU_2O_Y晶体(T_C -80K)的约瑟夫森交界行为,并打开设备化的途径,种植了各种PB组成的晶体,并测量了晶体结构,并测量了Microwave响应特性,并测量了Junds的特性。检查了响应特征。所获得的结果可以汇总如下:1。单晶(BI__ <1-X> PB_X)_2SR_2CACU_2O_Y(0≦X≦0.5)通过熔化方法生长,当X = 0,最多约15×12×0.6 mm^3时,最多生长。晶体的大小随着PB载荷的增加而降低。 BI_2SR_2CACU_2O_Y的调制结构保留在晶体中,值为0≦x <≦0.3,并在晶体中消失,值为≦0.3≦x。 2。在C轴方向上相同晶体的电流特性显示出滞后特性,无论X如何,分支都具有分支,并且可以证实许多Josephson隧道连接处是在C轴方向串联形成的。 3。BI_2SR_2CACU_2O_Y晶体用8-10 GHz微波辐射,并检查其响应。当微波功率相对较低时,AC Josephson对电流 - 电压特性的影响会诱导恒定电压步,从而导致相位锁在晶体中约100个Josephson连接处。另一方面,当微波功率相对较大时,发现磁通量被引入晶体约瑟夫森连接处,从而导致同步现象,这是由于晶体和电磁波的运动而引起的。

项目成果

期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Akinobu Irie: "Current-voltage characteristics of Nb/(Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_x/Nb point contact junctions" Proceedings of 5th International Symposium on Superconductivity. 5. 85-88 (1993)
Akinobu Irie:“Nb/(Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_x/Nb点接触结的电流-电压特性”第五届国际超导研讨会论文集。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Chien Chen Diao: "The improvement of compositional distribution in depth and surface morphology of YBa_2Cu_3O_7-δ/SrTiO_x multilayers" IEICE Transactions on Electronics. E77-C(発表予定). (1994)
Chien Chen Diao:“YBa_2Cu_3O_7-δ/SrTiO_x 多层的成分分布的改善”,IEICE Transactions on Electronics(即将出版)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
榊原雅行: "自己フラックス法による(Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y結晶のジョセフソン接合的振舞い" 電子情報通信学会論文誌. J76-C-II. 391-397 (1993)
Masayuki Sakakibara:“通过自熔法研究 (Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y 晶体的约瑟夫森结行为”,IEICE Transactions J76-C-II 391-397 (1993)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Akinobu Irie: "Growth and tunneling properties of (Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y single crystals" IEICE Transactions on Electronics. E77-C(発表予定). (1994)
Akinobu Irie:“(Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y 单晶的生长和隧道特性”IEICE Transactions on Electronics(即将出版)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
菅井 徳行: "SrCO_3-Bi_2O_3-CuO擬3成分系の相平衡" Journal of the Ceramic Society of Japan. 102. 35-40 (1994)
Noriyuki Sugai:“SrCO_3-Bi_2O_3-CuO假三元体系的相平衡”日本陶瓷学会杂志102. 35-40(1994)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

大矢 銀一郎其他文献

大矢 銀一郎的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('大矢 銀一郎', 18)}}的其他基金

酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
氧化物高温超导体特有的超晶格结构中出现的电子现象的阐明和功能化研究
  • 批准号:
    06216215
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
氧化物高温超导体特有的超晶格结构所产生的电子现象的阐明和功能化研究
  • 批准号:
    04240212
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究
高温超导单晶薄膜生长基础研究及超导电子器件应用
  • 批准号:
    03210103
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究
高温超导单晶薄膜生长基础研究及超导电子器件应用
  • 批准号:
    02226202
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究
高温超导单晶薄膜生长基础研究及超导电子器件应用
  • 批准号:
    01644501
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
酸化物高温超伝導体単結晶薄膜光エピタキシー装置の試作
氧化物高温超导单晶薄膜光外延器件原型机
  • 批准号:
    63850074
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
原子層エピタキシャル法による酸化物単結晶薄膜の成長機構とその制御に関する基礎研究
原子层外延法氧化物单晶薄膜生长机理及控制基础研究
  • 批准号:
    58550204
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
原子層エピタキシャル法による酸化物単結晶薄膜育成のための制御装置の試作
原子层外延法生长氧化物单晶薄膜的原型控制装置
  • 批准号:
    58850073
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
固相拡散・反応を利用した, シリコン単結晶ウエハーと一体構造の超伝導電子素子の製作
利用固相扩散和反应制造与硅单晶晶片集成的超导电子器件
  • 批准号:
    56750194
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
化合物半導体GaNx薄膜単結晶の育成とその超伝導特性の解明に関する研究
化合物半导体GaNx薄膜单晶的生长研究及其超导特性的阐明
  • 批准号:
    X00210----475208
  • 财政年份:
    1979
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
氧化物高温超导体特有的超晶格结构所产生的电子现象的阐明和功能化研究
  • 批准号:
    04240212
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了