原子層エピタキシャル法による酸化物単結晶薄膜育成のための制御装置の試作

原子层外延法生长氧化物单晶薄膜的原型控制装置

基本信息

  • 批准号:
    58850073
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.05万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
  • 财政年份:
    1983
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1983 至 1984
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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