非線形帯磁率による非可逆曲線の決定とその起源

非线性磁化率不可逆曲线的确定及其起源

基本信息

批准号：
05224211
负责人：
石田武和
金额：
$ 3.01万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05224211/
关键词：
高温超伝導体非可逆曲線非線形帯磁率 YBCO薄膜

项目摘要

高温超伝導体の混合状態におれる非可逆曲線の起源に関して研究を行った。磁束格子の隔解相転移・磁束グラスの隔解相転移・ピニング外しのクロスオーバーが提案されている。一方、実験的に見れば如何に非可逆曲線を決めるかにっいて問題が存在した。非可逆曲線の決定法として3次の非線形帯磁率の虚数部に表れる負けのピークを採用することを提案し、臨界状態モデルからの物理的意味付けを明確にした。平成4年度科研費で7次までの高調波の測定が出来るメックイン増幅機を購入、平成5年度は新たな5テラスの超伝導マグネット・デュアー、測定コイルの製作及びソフトウェアの開発をすすめ、非可逆曲線の磁場-温度の測定領域を広げた。ミュウヘン工科大学グループの協力によりスクリュウ型欠陥密度の異なる一連のYBCO蒸着薄膜の非可逆曲線の測定を行った。バーゼル大学での走査型トンネル顕微鏡による観察によりC軸方向に発達したスクリュウ型欠陥の密度を評価した。非可逆曲線に異常が現れる磁場がスクリュウ型欠陥の濃度とよく対応することがわかった。これはスクリュウ型欠陥が磁束系の振る舞いに有効な役割を果たすことを示す初めての明確な証拠である。次いで、スパッタイングで作成したかなり厚め(NTT通研、5000A)のC軸配向EuBco薄膜のC軸方向に230MeV金イオンを照射しカラム状の欠陥を導入し(原研東海と共同研究)、欠陥濃度を制御した。その結果欠陥密度の上昇とともに非可曲線が系統的に変化することを見いだした。さらにSQUIDによる磁気測定と比較し、非可逆曲線の決定にはその判定基準が重要であることを見いだした。

我们研究了高温超导体混合态中不可逆曲线的起源。已经提出了磁通晶格的相变、磁通玻璃的相变和脱钉之间的交叉。另一方面，从实验的角度来看，存在一个如何确定不可逆曲线的问题。我们提出利用三阶非线性磁化率虚部出现的损耗峰值作为确定不可逆曲线的方法，并从临界状态模型中阐明了其物理意义。 1992 年，我们利用科学研究补助金购买了能够测量高达 7 阶谐波的 MEC-IN 放大器，并于 1993 年开始生产新型 5 阶超导磁体/杜瓦瓶，测量扩大了磁场-温度曲线的测量范围。我们与慕尼黑工业大学课题组合作，测量了一系列具有不同螺旋型缺陷密度的YBCO沉积薄膜的不可逆曲线。通过使用巴塞尔大学的扫描隧道显微镜观察来评价在C轴方向上产生的螺纹状缺陷的密度。研究发现，不可逆曲线中出现异常的磁场与螺旋型缺陷的浓度很好地对应。这是第一个明确的证据，证明螺旋缺陷在磁通系统的行为中发挥着有效作用。接下来，用溅射法制作的相当厚的（NTT Tsuken，5000A）C轴取向EuBco薄膜在C轴方向上用230 MeV金离子照射，以引入柱状缺陷（与JAERI Tokai共同研究），并且缺陷浓度被控制。结果，我们发现随着缺陷密度的增加，刚性曲线会系统地变化。此外，我们将其与使用 SQUID 的磁性测量进行了比较，发现确定不可逆曲线的标准很重要。