分子回帰反応の創出による2次元半導体の自己電子機能化

通过分子回归反应实现二维半导体的自电子功能化

基本信息

  • 批准号:
    23H01798
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.31万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 通讯作者:
    小島伸彦
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
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    桐谷 乃輔
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  • 发表时间:
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  • 作者:
    福井 暁人;尾上 弘晃;板井 駿;石倉 恵子;池野 豪一;長田 貴弘;土方 優;Jenny Pirillo ;吉村 武 ,芦田 淳;藤村 紀文;桐谷 乃輔;五十嵐 龍治
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  • 作者:
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.factor }}
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