層間挿入によるh-BNの半導体化とベータボルタ電池応用
层间插入六方氮化硼的半导体化和β伏打电池应用
基本信息
- 批准号：23H01456
- 负责人：
- 金额：$ 11.65万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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高桑 雄二
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$ 11.65万 - 项目类别：
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$ 11.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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24K17557 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 批准号：
23K26559 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.65万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)