4元混晶AlGaInN分極ドーピング層を用いたヘテロバイポーラトランジスタの作製
四元混晶AlGaInN极化掺杂层制作异质双极晶体管
基本信息
- 批准号：23K26559
- 负责人：
- 金额：$ 7.99万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2024
- 资助国家：日本
- 起止时间：2024-02-28 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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- 影响因子：0
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林 幸佑;中川 央也;宮澤 篤也;川崎 晟也;本田 善央;天野 浩;井上 翼;青木 徹;中野 貴之 - 通讯作者：
中野 貴之
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