Development of highly efficient damage-free finishing technique for wide gap semiconductor substrate utilizing atmospheric pressure plasma
利用大气压等离子体开发宽禁带半导体衬底高效无损伤精加工技术
基本信息
- 批准号:25249006
- 负责人:
- 金额:$ 28.54万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(85)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Study on removal mechanism of sapphire in plasma assisted polishing
等离子辅助抛光蓝宝石去除机理研究
- DOI:10.4028/www.scientific.net/amr.1136.317
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:C. Kageyama;K. Monna;H. Deng;K. Endo;K. Yamamura
- 通讯作者:K. Yamamura
Open-air type plasma chemical vaporization machining by applying pulse-width modulation control
- DOI:10.1088/0022-3727/47/11/115503
- 发表时间:2014-02
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Takeda;Y. Hata;K. Endo;K. Yamamura
- 通讯作者:Y. Takeda;Y. Hata;K. Endo;K. Yamamura
大気開放型数値制御プラズマCVMにおけるプラズマジェット型加工ヘッドの開発
露天数控等离子CVM等离子射流加工头的研制
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Lennaert van Veen;Alberto Vela Martin;Genta Kawahara;Tatsuya Yasuda;畑祐輝
- 通讯作者:畑祐輝
Flattening of 4H-SiC by combination of oxidation and abrasive polishing
通过氧化和磨料抛光相结合对 4H-SiC 进行平坦化
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Deng;K. Endo;K. Yamamura
- 通讯作者:K. Yamamura
プラズマ援用研磨におけるサファイア基板の加工モデルの提唱とその検証
蓝宝石衬底等离子体辅助抛光加工模型的提出和验证
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:蔭山千華;門奈剛毅;田畑雄壮;鄧輝;遠藤勝義;山村和也
- 通讯作者:山村和也
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Yamamura Kazuya其他文献
ACT-I「情報と未来」への期待
对ACT-I“信息与未来”的期望
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Ohkubo Yuji;Aoki Tomonori;Seino Satoshi;Mori Osamu;Ito Issaku;Endo Katsuyoshi;Yamamura Kazuya;湊 真一 - 通讯作者:
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Novel highly-efficient and dress-free polishing technique with plasma-assisted surface modification and dressing
新型高效免修整抛光技术,采用等离子体辅助表面改性和修整
- DOI:
10.1016/j.precisioneng.2021.05.003 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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Yamamura Kazuya
Improved Catalytic Durability of Pt-Particle/ABS for H2O2 Decomposition in Contact Lens Cleaning
提高 Pt 颗粒/ABS 在隐形眼镜清洁中 H2O2 分解的催化耐久性
- DOI:
10.3390/nano9030342 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:5.3
- 作者:
Ohkubo Yuji;Aoki Tomonori;Seino Satoshi;Mori Osamu;Ito Issaku;Endo Katsuyoshi;Yamamura Kazuya - 通讯作者:
Yamamura Kazuya
Effects of polishing pressure and sliding speed on the material removal mechanism of single crystal diamond in plasma-assisted polishing
等离子辅助抛光中抛光压力和滑动速度对单晶金刚石材料去除机理的影响
- DOI:
10.1016/j.diamond.2022.108899 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:4.1
- 作者:
Liu Nian;Sugimoto Kentaro;Yoshitaka Naoya;Yamada Hideaki;Sun Rongyan;Kawai Kentaro;Arima Kenta;Yamamura Kazuya - 通讯作者:
Yamamura Kazuya
巻頭言.心理学の再現可能性:我々はどこから来たのか 我々は何者か 我々はどこへ行くのか ─ 特集号の刊行に寄せて ─
介绍。
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Ohkubo Yuji;Aoki Tomonori;Seino Satoshi;Mori Osamu;Ito Issaku;Endo Katsuyoshi;Yamamura Kazuya;湊 真一;友永雅己・三浦麻子・針生悦子 - 通讯作者:
友永雅己・三浦麻子・針生悦子
Yamamura Kazuya的其他文献
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Development of slurry-less electrochemical mechanical polishing machine for wide-gap semiconductor substrates applying ultrasonic vibration
超声波振动宽禁带半导体基片无浆电化学机械抛光机的研制
- 批准号:
21K18677 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 28.54万 - 项目类别:
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Highly efficient slurryless finishing of difficult-to-polish materials by active controlled electrochemical mechanical polishing
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- 批准号:
18K18810 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 28.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Highly-efficient damage-free manufacturing of functional materials by plasma nanomanufacturing process
利用等离子体纳米制造工艺高效无损伤制造功能材料
- 批准号:
18H03754 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 28.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似国自然基金
基于活性炭孔径调控和表面修饰改性的水中低浓度有机污染物优化去除适配机制
- 批准号:50878204
- 批准年份:2008
- 资助金额:37.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
短パルスレーザ照射によるアブレーション加工を利用したレーザ研磨技術の提案
利用短脉冲激光照射进行烧蚀加工的激光抛光技术的提案
- 批准号:
21K03834 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 28.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of the roughening processing technology in the metal surface for precise device which used electrolyzed oxidizing water
精密器件金属表面电解氧化水粗化处理技术的开发
- 批准号:
19K04124 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 28.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Highly-efficient damage-free manufacturing of functional materials by plasma nanomanufacturing process
利用等离子体纳米制造工艺高效无损伤制造功能材料
- 批准号:
18H03754 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 28.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Highly efficient chemical mechanical polishing method for SiC substrates using enhanced slurry containing bubbles of plasma gas
使用含等离子气体气泡的增强浆料对 SiC 衬底进行高效化学机械抛光方法
- 批准号:
17K06094 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 28.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of in vivo biosensing system based on diamond electrodes
基于金刚石电极的体内生物传感系统的研制
- 批准号:
17J02923 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 28.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows