Symmetry-directed Epitaxy Growth of 2D Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides with continuous single crystallinity and ultralow defect density

具有连续单晶度和超低缺陷密度的二维半导体过渡金属二硫属化物的对称定向外延生长

基本信息

  • 批准号:
    23H00253
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 30.45万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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