Symmetry-directed Epitaxy Growth of 2D Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides with continuous single crystallinity and ultralow defect density

具有连续单晶度和超低缺陷密度的二维半导体过渡金属二硫属化物的对称定向外延生长

基本信息

批准号：
23H00253
负责人：
トンヴィンセント
金额：
$ 30.45万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
项目状态：
未结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23H00253/
关键词：
Symmetry single-crystallinity Wafer-scale 2D Materials

项目摘要

项目成果

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