深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明

使用深紫外近场光谱阐明超宽带隙半导体的物理性质

• 批准号: 15H02013
• 负责人: 川上 養一
• 金额: $ 9.15万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15H02013/
• 关键词: 近接場光学; 深紫外分光; 超ワイドギャップ半導体

本研究は，深紫外（波長：210～300nm）領域で分光計測が可能な近接場光学顕微鏡（SNOM）技術を開発し，AlGaNナノ構造，BN系半導体，ダイヤモンドなどの超ワイドギャップ半導体における励起子や励起子分子などのキャリア素励起（準粒子）の空間・時間ダイナミクスを明らかにすることを目的に，平成27年度より研究をスタートした。しかしながら，開始から数か月で基盤研究（S）に採択されたため，規定によって交付決定の一部取り消しを行うこととなった。このような事情のため，研究実施はごく短期間ではあったが，深紫外SNOMファイバープローブについて，ファイバー材質と形状の最適化によって波長200nmまでの高透過率特性を実験的に検証することに成功しており，所期の目的の一部を達成することができた。

这项研究是在2015年开发的，目的是阐明超宽间隙半导体中的载体元素激发（准粒子）的空间和时间动力学，例如激发子和激子分子，例如Algan纳米结构，基于BN的半导体和钻石。但是，由于它在成立几个月后被采用为基础研究，因此根据法规部分取消了赠款的决定。由于这些情况，尽管进行了很短的时间进行了研究，但我们通过优化深UV Snom纤维探测器的纤维材料和形状，成功地实验了高达200 nm的高透射特性，实现了一些预期的目的。