Development of low defect density semipolar GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy

氢化物气相外延开发低缺陷密度半极性GaN衬底

• 批准号: 23860033
• 负责人: YAMANE Keisuke
• 金额: $ 2.08万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23860033/
• 关键词: ハイドライド気相成長; 窒化ガリウム基板; 非極性面; 窒化物半導体基板; 半極性面; 転位; 窒化ガリウム(GaN); GaN基板

We fabricated semipolar {10-11}, {11-22} and {20-21} GaN substrates, which are expected to be possible candidates for high performance devices. We used patterned sapphire substrates (PSSs) as substrates for the hydride vapor phase epitaxy growth. It is revealed that the defect density of {10-11} GaN drastically decreased with increasing the thickness. We clarified the difference of natural separation mechanism between on conventional sapphire substrates and PSSs. Finally, it is shown by a fabrication of green LEDs that our GaN substrates can be used for device applications.

我们制造了半极性{10-11}、{11-22}和{20-21} GaN衬底，这些衬底有望成为高性能器件的候选材料。我们使用图案化蓝宝石衬底（PSS）作为氢化物气相外延生长的衬底。结果表明，{10-11}GaN的缺陷密度随着厚度的增加而急剧降低。我们阐明了传统蓝宝石基板和 PSS 上自然分离机制的差异。最后，绿色 LED 的制造表明我们的 GaN 衬底可用于器件应用。

项目成果

窒化ガリウム結晶自立基板およびその製造方法

氮化镓晶体自支撑衬底及其制造方法

• 发表时间: 2013

Fabrication of large freestanding semipolar {11-22} GaN films using r-plane patterned sapphire substrates

使用 r 平面图案化蓝宝石衬底制造大型独立式半极性 {11-22} GaN 薄膜

• 发表时间: 2013
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: 山中裕史;奈良禎太;川崎了;金子勝比古;林大介;H. Furuya
• 通讯作者: H. Furuya

サファイア加工板上半極性面GaN のTEM による評価

蓝宝石加工板上半极性 GaN 的 TEM 评估

• 发表时间: 2013
• 作者: Komaki;K.;Murakami;T.;Kanemoto;T.;Huaiyu Shao;稲垣卓志
• 通讯作者: 稲垣卓志

半導体装置の製造方法

半导体装置的制造方法

• 发表时间: 2009

ハイドライド気相成長法による非極性面GaNの厚膜成長

使用氢化物​​气相外延法生长非极性 GaN 的厚膜

• 发表时间: 2012
• 作者: Yuichi Yokoi;Takashi Hikihara;山根啓輔;Huaiyu Shao (招待講演);只友一行
• 通讯作者: 只友一行