Study on High Field Carrier Transport in Gallium Nitride

氮化镓高场载流子输运研究

• 批准号: 22K20423
• 负责人: 前田 拓也
• 金额: $ 1.83万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-08-31 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22K20423/
• 关键词: 窒化ガリウム; パワーデバイス; 高周波デバイス; 高電界効果; ドリフト速度

2022年度は，窒化ガリウム(GaN)のドリフト速度測定に向けて，高電界ドリフト速度の測定系の立ち上げを行った．高電圧パルス電源とオシロスコープをマニュアルプローバーに直接組み合わせることで，寄生インダクタンスなどの影響を極力排除した極めて短いパルス幅での電流-電圧測定系の構築に取り組んだ．想定される抵抗範囲(50 Ω - 1 kΩ)の既知の抵抗に対して，立ち上がり時間10 ns, パルス幅 < 500 ns の電圧印加・電流測定に成功した．上記と並行して，測定デバイスの検討と設計，作製を行った．共同研究により所望のエピウエハを入手し，東京大学の武田先端知スーパークリーンルームによるデバイス作製プロセスの構築を行った．リソグラフィやGaNエッチング，電極蒸着などを駆使することで，測定用デバイスを作製した．現在は，作製したデバイスの基礎特性を評価に取り組んでおり，2023年度には高電界ドリフト速度を測定できる見込みである．

在2022财年，我们推出了一个高场漂移速度测量系统，以准备测量硝酸盐（GAN）的漂移速度。通过直接将高压脉冲电源和示波器与手动专家相结合，我们致力于构建具有极短脉冲宽度的电流 - 电压测量系统，从而消除了寄生电感和其他因素的影响。对于具有预期电阻范围（50Ω -1KΩ）的已知电阻，成功应用了电压和电流测量值，上升时间为10 ns，脉冲宽度为<500 ns。与上述同行，研究了测量设备，设计和制造。通过协作研究获得了所需的Epiwafer，并使用东京大学的Takeda Advanced Super Cleanroom构建了设备制造过程。通过使用光刻，GAN蚀刻和电极沉积来制造测量设备。当前，我们正在努力评估制造设备的基本特征，并有望在2023财年中测量高场漂移速度。