Clarification of Growth Mechanism of Perfect Organic Semiconductor Single Crystal for Electronic Devices
阐明电子器件用完美有机半导体单晶的生长机理
基本信息
- 批准号:20245038
- 负责人:
- 金额:$ 30.95万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
We revealed that organic semiconductor rubrene single crystals grown from vapor phase have molecularly flat surface in wide region by using a laser confocal microscope with a differential interference contrast microscope for the first time. The observations of the crystal growth, which is shown the transition of molecular steps on the surface, were contributed to a clarification of growth mechanism. These single crystals have been shown high FET characteristics.
我们透露,从蒸气相生长的有机半导体rubrene单晶体在较大区域中具有分子平坦的表面,通过使用激光共聚焦显微镜首次使用具有差异干扰对比度显微镜的激光共聚焦显微镜。晶体生长的观察结果表明,表面上的分子步骤过渡,有助于澄清生长机制。这些单晶体已显示出很高的FET特征。
项目成果
期刊论文数量(54)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Recent progress in electrochemical surface science with atomic and molecular levels
原子分子水平电化学表面科学最新进展
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Ye;T.Kondo;N.Hoshi;J.Inukai;S.Yoshimoto;M.Osawa;K.Itaya
- 通讯作者:K.Itaya
Solution Crystal Growth of [1] Benzothieno [3, 2-b] benzothiophene and Tetrathiafulvalence Derivatives for Field-Effect Transistors
用于场效应晶体管的[1]苯并噻吩[3, 2-b]苯并噻吩和四硫富价衍生物的溶液晶体生长
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Brandel;J.; Sairenji;M.; Ichikawa;K.; Nabeshima;T.;Takeshi Matsukawa
- 通讯作者:Takeshi Matsukawa
溶液プロセスにより形成した配向制御TIPS-ペンタセン薄膜とその電界効果トランジスタ特性
溶液法取向控制的TIPS-并五苯薄膜及其场效应晶体管性能
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中島章光;塩川和夫;関華奈子;中村るみ;Baumjohann W.;桂華邦裕;高田拓;Carr C. M.;Fazakerley A.;Reme H.;Dandouras I.;Cornilleau N.;McFadden J. P.;Carlson C. W.;Strangeway R. J.;T.Akasaka;板谷謹悟
- 通讯作者:板谷謹悟
Growth of Perfect Single Crystals of Organic Semiconductors at Solid/liquid Interface
固/液界面完美有机半导体单晶的生长
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Sato;T. Sawaguchi;T. Minato and K. Itaya
- 通讯作者:T. Minato and K. Itaya
High-resolution molecular images of rubrene single crystals obtained by frequency modulation atomic force microscopy
- DOI:10.1063/1.3184770
- 发表时间:2009-09
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Taketoshi Minato;Hiroto Aoki;H. Fukidome;T. Wagner;K. Itaya
- 通讯作者:Taketoshi Minato;Hiroto Aoki;H. Fukidome;T. Wagner;K. Itaya
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Formation of Surfaces and Interfaces Designed at Atomic/Molecular Level
原子/分子水平设计的表面和界面的形成
- 批准号:
12305055 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
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- 资助金额:
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15H05418 - 财政年份:2015
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$ 30.95万 - 项目类别:
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26289087 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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22350082 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)