結晶融解法を用いたレドックス活性金属錯体の配向及び電界効果トランジスタ能制御

使用晶体熔化方法氧化还原活性金属配合物的取向和场效应晶体管性能的控制

基本信息

批准号：
18655056
负责人：
張浩徹
金额：
$ 2.3万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2007
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18655056/
关键词：
結晶融解法トランジスタレドックス金属錯体配向制御

项目摘要

本研究は、課題(A)「モジュール化学の展開とバルク物性制御」(平成18年度)、課題(B)「基盤環境と結晶化プロセスによる薄膜結晶相制御」(平成18-19年度)、課題(C)「アンバイポーラFET能の最適化条件の探索」(平成19年度)から構成される。初年度における1)[M(Cat)(Cnbpy)](M=Pt,Pd);Cat=catecholate,n=9-17)群や[M(Bdt)(Cnbpy)](M=Pt,Pd);Bdt=benezenedithiolato,n=9-17]群が等方性液体から結晶化する際にシリコン基盤上にて一軸配向すること、2)[Pt(Bdt)(Mebpy)]が新規p型FET活性物質である、最後に3)これらの分子が示す一軸配向性に長鎖に含まれる炭素数依存性があることを基にH19年度の研究を進めた。その結果、1)PMMA処理を施したシリコン基板上にて真空蒸着法で作成した薄膜Ni錯体がCa電極を用いることで4.3*10_3及び1.6*10_2 cm2/Vsのホール及び電子移動度を示すことを明らかにした。このようにp,n型バランスのとれた高い移動度を示す物質は非常に限られている。またこの錯体の類似骨格に長鎖を付与することで融解法により同様の性質が得られることを強く示す結果である。2)また我々は結晶及び液晶を示す錯体を用いて融解法によりITO|[Pt(R-Cat)(C8,10bpy)]|ITO型デバイスを作成し、I-V特性を測定したとこ特にポリイミド処理を施したITO基盤上で良好な照射光強度とI値の相関を見いだした。またITO|錯体|AIのデバイスにおいて僅かであるが光電変換特性を見いだした。以上の結果により融解法がFETデバイスのみならず太陽電池などの光電変換デバイスへの応用が過当となることを示す結果を得た。

这项研究包括（a）：“大量物理特性的模块化化学和控制的发展”（FY2006），问题（b）：“通过基础环境和结晶过程控制薄膜晶体阶段”（2006-2007），以及问题（C）：在第一年，我们根据[M（CAT）（CNBPY）]（M = PT，PD）的单轴取向进行了研究。液体，2）[PT（BDT）（MEBPY）]是一种新的P型FET活性物质，最后3）这些分子的单轴取向具有长链中包含的碳数量的依赖性。结果，发现1）通过使用Ca电极时，经过PMMA处理的硅底物上通过真空蒸发产生的薄膜Ni复合物，表现出4.3*10_3和1.6*10_2 cm2/vs的电子迁移率。因此，很少有P和N型平衡P和N型具有很高的迁移率。这是通过将长链添加到相似的主链中来融化复合物来获得相同的属性。 2）我们还使用融化来表现出晶体和液晶的复合物，创建了一个ITO | [PT（R-CAT）（C8,10BPY）] | ITO-TYPE设备，我们测量了I-V特性，尤其是在多酰亚胺治疗的ITO底物上，并在Polyimide处理过的ITO底物上找到了良好的相关性，并发现了良好的相关性和ITO的相关性。我们还发现了ITO |复杂| AI设备中的小光电转换属性。以上结果表明，熔化方法不仅适用于FET设备，还适用于光电转换设备，例如太阳能电池。