半導体界面2次元系における新しい金属相と磁場効果

半导体界面二维系统中的新金属相和磁场效应

基本信息

批准号：
11740212
负责人：
岡本徹
金额：
$ 1.47万
依托单位：
The University of Tokyo (2000)Gakushuin University (1999)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2000
项目状态：
已结题

项目摘要

平成12年5月の研究代表者の異動(学習院大学より東京大学)に伴い、平成11年度に購入した設備備品等の移管、設置等を行った.また、前年度までに得られた実験データ、研究成果に基づいて以下の研究活動を行った.1.平成11年度に得られた研究成果を、平成12年9月に理化学研究所で行われた日本-イスラエル国際シンポジウム、同年同月に大阪国際会議場で行われた第25回半導体物理国際会議で報告した.2.平成11年度までの研究において、MOS構造試料およびヘテロ構造試料に形成されたシリコン2次元電子系において、2次元面に対して平行にかけた外部磁場に対する大きな正の磁気抵抗効果が観測されている.この平行磁場による抵抗増大は、スピン偏極によるものであることが明らかにされているが、磁気抵抗効果のメカニズムは明らかにされていない.伝導を担う電子が、数の多いスピンアップ電子なのか、それとも数の少ないスピンダウン電子なのかを明らかにするために、スピン偏極率を制御した状態でシュブニコフ-ド・ハース振動の測定を行った.その結果、スピンアップ電子が伝導を担っていることが明らかになり、平行磁場中での正の磁気抵抗効果が、キャリアの減少によるものではなく、移動度の減少によるものであることが示された.この結果の一部はすでにPhysica Eに報告されているが、平成12年度に行った詳細な実験データおよび理論考察に関しては、現在、投稿準備中である.

由于2000年5月研究主任的调动（从学习院大学到东京大学），1999年购买的设备被转移和安装。此外，截至前一年获得的实验数据也被转移和安装。根据研究结果开展以下研究活动 1. 1999 年获得的研究结果于 2000 年 9 月在 RIKEN 进行。 1999年举行的日本-以色列国际研讨会和同年同月在大阪国际会议中心举行的第25届国际半导体物理会议上都有报道。2．响应平行于二维表面施加的外部磁场的正磁性已经观察到电阻效应。已经揭示，这种由于平行磁场而导致的电阻增加是由于自旋极化，但磁阻效应的机制尚未阐明。负责传导的电子为了澄清是否自旋向上的电子数量较多或自旋向下的电子数量较少，我们在控制极化比的同时测量了舒布尼科夫-德哈斯振荡。结果表明，自旋电子负责传导，而平行磁场中的正磁阻效应表明，这并不是由于磁阻的减少造成的。载体，但由于流动性下降，其中一些结果已经在 Physica 中报道过。虽然已经在E中报道过，但2000年进行的详细实验数据和理论考虑目前正在准备提交。