高分子化合物添加によるＺｎ－Ｎｉ－Ｗ三元系合金めっきの開発

添加高分子化合物的Zn-Ni-W三元合金镀层的研制

• 批准号: 26915012
• 负责人: 佐藤 徹哉
• 金额: $ 0.32万
• 依托单位: Kumamoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26915012/
• 关键词: 合金めっき; 高分子化合物

○研究目的 : 本研究では, Zn-Ni合金めっきの変則型共析とNi-Wの誘起共析を組み合わせ, Zn-Ni-W系合金めっきを試みる。これまでの研究から, 電析膜のWは金属状態ではないことがわかっており, W金属の電析にはNiの優先的な析出が必要となることが予想される。そこで, Znの析出活性サイトに吸着してZn電析の抑制効果がある高分子化合物のポリアクリルアミドを添加し, その影響を調査した。○研究方法 : 電解浴の金属塩として, ZnSO_4・7H_2O 0.17 mol/L, NiSO_4・6H_2O 0.57mol/L, Na_2WO_4・2H_2O 0.06mol/Lを純水に溶解させた。また錯化剤としてクエン酸アンモニウム(NH_4)_3C_6H_5O_7を, 高分子化合物としてノニオン性で分子量が10_6～10_8のポリアクリルアミドを添加した。陰極にはFe板を用い, 電極面積は1㎠とした。電解条件として, 定電流電解法を用い, 電流密度0.1～100A/d㎡, 通電量6000C/d㎡, 浴温40℃の静置浴で行った。また陽極にはPt板を使用した。○研究成果 : 各電流密度での合金組成を調査した結果、ポリアクリルアミドを添加することで、50A/d㎡以上の電流密度ではZnよりもNiが優先的に析出したことを確認した。またXPSのW4fスペクトルにおいて, 主にW酸化物を示すスペクトルであったが、一部でのW金属の析出が示唆された。これにより, 電解浴にポリアクリルアミドを添加することで, Znの析出が抑制されてNiが優先的に析出した結果, 誘起共析によりWの一部が金属として析出したと考えられ、合金化による耐食性向上など電析膜の特性向上につながることが期待される。

○研究的目的：在这项研究中，我们将Zn-Ni合金镀层的不规则外切除术与Ni-W的诱导的肠道切除术相结合，以尝试尝试Zn-Ni-W合金镀层。先前的研究表明，沉积膜中的W不处于金属状态，预计W Metal的沉积将需要Ni的优先级沉积。因此，加入了聚合酰胺，一种聚合物化合物，在Zn沉淀活性位点上吸附并具有抑制Zn沉积的作用，并研究了这种作用。 ○研究方法：随着电解浴中的金属盐，ZnSO_4 ・7H_2O 0.17 mol/L，Niso_4 ・6H_2O 0.57 mol/l，Na_2wo_4 ・2H_2O 0.06 mol/l溶解在纯水中。将柠檬酸铵（NH_4）_3C_6H_5O_7添加为络合剂，并添加了非离子分子量为10_6至10_8的聚丙烯酰胺作为聚合物化合物。阴极由Fe板制成，电极面积为1 m2。使用恒定电流电解方法和电流密度为0.1至100 a/d m2，电流载荷为6000 c/d m2，浴温度为40°C的静态浴中进行电解条件。 PT板也用于阳极。 ○研究结果：由于在每个电流密度下研究合金组成的结果，可以证实，通过添加聚丙烯酰胺，Ni在50 a/d m2或更多的电流密度下沉淀出多于Zn。此外，在XPS的W4F光谱中，光谱主要显示W氧化物，表明某些部分中观察到W金属沉淀。这样可以防止将聚丙烯酰胺添加到电解浴中，并且Zn的沉淀被抑制并优先抑制Ni沉淀，因此，由于诱导的Eutectic沉积，W沉淀为金属作为金属，预计会导致改善沉积膜的特性，例如由于合成而耐腐蚀性。

项目成果

高分子化合物を添加した電解浴からのZn-Ni-W系合金電気めっきの開発

含有高分子化合物的电解浴电镀 Zn-Ni-W 合金的开发

• 发表时间: 2014
• 作者: 津久井稲緒;津久井稲緒;津久井稲緒;経営学史学会編;佐藤善恵;青木慎恵;青木慎恵;青木慎恵;青木慎恵;関野 智史;上島隆秀;高橋 京子;池田 英治;金丸慎太郎;志摩典明;佐藤徹哉
• 通讯作者: 佐藤徹哉