SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明

基于原子论和量子论阐明SiC MOS反型层电子传输机制

基本信息

  • 批准号:
    24K17310
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-04-01 至 2029-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 通讯作者:
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    $ 2.91万
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    Studentship
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