p型GaN基板の実現に向けたHVPE成長技術の研究開発
实现p型GaN衬底的HVPE生长技术的研发
基本信息
- 批准号：23K13672
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
大西 一生其他文献
GaN高温HVPE成長のための熱力学解析モデルの修正
GaN高温HVPE生长热力学分析模型的修改
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
松岡 聖;坂東 もも子;大西 一生;後藤 健;新田 州吾;村上 尚;熊谷 義直 - 通讯作者：
熊谷 義直
GaN (0001)自立基板上GaNのHVPE成長における表面カイネティクス
独立式衬底上 GaN (0001) 的 HVPE 生长的表面动力学
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大西 一生;藤元 直樹;新田 州吾;渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩 - 通讯作者：
天野 浩
昆虫の攻撃行動を調節する脳内生体アミン
调节昆虫攻击行为的脑生物胺
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大西 一生;藤元 直樹;新田 州吾;渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩;青沼仁志 - 通讯作者：
青沼仁志
Starting Point for Negotiation: The Aynak Copper Mine Project Relocation and Compensation Disputes
谈判起点：艾娜克铜矿项目搬迁及补偿纠纷
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大西 一生;川崎 晟也;藤元 直樹;新田 州吾; 渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩;Ghulam Dastgir Khan - 通讯作者：
Ghulam Dastgir Khan
ハライド気相成長法による縦型GaN p-n接合ダイオードの作製
卤化物气相外延法制备垂直GaN p-n结二极管
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大西 一生;川崎 晟也;藤元 直樹;新田 州吾; 渡邉 浩崇;本田 善央;天野 浩 - 通讯作者：
天野 浩
大西 一生的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('大西 一生', 18)}}的其他基金
高性能GaN系素子作製に向けたハライド気相成長技術の確立
建立用于制造高性能GaN基器件的卤化物气相生长技术
- 批准号：
20J13885 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
通信機の超低消費電力化に向けた窒化ガリウム系高周波トランジスタの開発
开发用于通信设备超低功耗的氮化镓基高频晶体管
- 批准号：
22KJ1532 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
宇宙用次世代太陽電池材料のプロセス探索
下一代太空太阳能电池材料的工艺探索
- 批准号：
21J20526 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Single-process fabrication of group-III nitride pseudo-substrates and devices via vapor phase epitaxy using solid chlorides
使用固体氯化物通过气相外延单工艺制造 III 族氮化物伪衬底和器件
- 批准号：
19H02614 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
宇宙用通信システムの小型軽量高効率化に向けた次世代半導体の研究開発
研发下一代半导体，使空间通信系统更小、更轻、更高效
- 批准号：
19J11998 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
High speed growth of high quality, ultra-thick gallium nitride crystal using newly developed source materials
使用新开发的原材料高速生长高质量、超厚氮化镓晶体
- 批准号：
16K04945 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)