Molekularstrahlepitaxie-Anlage zur Herstellung und in situ Analyse von 2D-Materialien

用于二维材料生产和原位分析的分子束外延系统

• 批准号: 406029123
• 金额: --
• 依托单位: Technische Universität München (TUM)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Major Research Instrumentation
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2017-12-31 至 无数据
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/406029123?language=en
• 关键词: Molekularstrahlepitaxie; Anlage; zur; Herstellung; und

Für das Walter Schottky Institut (Zentralinstitut d. Physik-Department) der TU München soll eine Molekularstrahl- Epitaxie (MBE) Anlage zur atomar präzisen Herstellung und in situ Charakterisierung von halbleitenden 2D-Materialien angeschafft werden. Ziel ist es dabei in dem stark wachsenden Forschungsfeld der 2D-Materialien (insbesondere der Übergangsmetall-Dichalkogenide, TMDC, und Gruppe-lll/VI Halbleiter) eine herausragende Synthese-Methode zu etablieren, welche neuartige Nanostrukturen und Heterostrukturen mittels van der Waals (vdW) Epitaxie von höchster elektronischer Materialqualität und Funktionalität ermöglicht. Dieses UHV-basierte Verfahren eröffnet weiter eine Palette an leistungsstarken in situ Analyse-Methoden um strukturell-, oberflächen-, grenzflächen-spezifische und elektronische Eigenschaften der synthetisierten Materialien in Echtzeit zu untersuchen und zu kontrollieren, was in kaum einem anderen Verfahren derzeit möglich ist. Die hergestellten Materialien sollen in einer Vielzahl von Forschungsprojekten am WSI sowie in engen Kooperationen im Münchner Umfeld (v.a. über Exzellenz Cluster der "Nanosystems Initiative München") und darüber hinaus zum Einsatz kommen. Nach unserem Kenntnisstand ist dieses gerätetechnische Vorhaben zur Herstellung von TMDC und Gruppe-lll/VI halbleitenden vdW-Nano-/Heterostrukturen eines von bislang wenigen auf internationaler Ebene, und eröffnet uns die Möglichkeit Forschung an halbleitenden 2D-Materialien auf konkurrenzfähigem Niveau zu betreiben.

慕尼黑工业大学沃尔特肖特基研究所 (Zentralinstitut d. Physik-Department) 分子外延 (MBE) Dabei in dem stark wachsenden Forschungsfeld der 2D-Materialien (insbesondere Übergangsmetal-Dichalkogenide, TMDC, und Gruppe-ll/VI Halbleiter) Waals (vdW) 材料质量和功能外延。 Materialien in Echtzeit zu untersuchen und zu kontrollieren, was in kaum einem anderen Verfahren derzeit möglich ist。 （v.a. über Exzellenz Cluster der “Nanosystems Initiative München”）和 darüber hinaus zum Einsatz kommen。 2D-Materialien auf konkurrenzfähigem Niveau zu betreiben。