Si-channel Hanle-effect spin devices for spin injection and spin transport.

用于自旋注入和自旋输运的硅通道汉勒效应自旋器件。

基本信息

  • 批准号：
    26630153
  • 负责人：
    Sugahara Satoshi
  • 金额：
    $ 2.41万
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（17）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
“Fabrication of a CoFe/TiO2/Si tunnel contact and its spin-injector application
“CoFe/TiO2/Si 隧道接触的制造及其自旋注入器应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yusuke Shuto;Katsunori Takahashi;Taiju Akushichi;and Satoshi Sugahara
  • 通讯作者：
    and Satoshi Sugahara
Robust Design of Electric-field-assisted Nonlocal Si-MOS Spin-devices
电场辅助非局域 Si-MOS 自旋器件的鲁棒设计
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    D. Kitagata;T. Akushichi;Y. Takamura;Y. Shuto;and S. Sugahara
  • 通讯作者：
    and S. Sugahara
Spin Accumulation in a Si Channel using High-Quality CoFe/MgO/Si Spin Injectors
使用高质量 CoFe/MgO/Si 自旋注入器在 Si 通道中进行自旋累积
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Akushichi;D. Kitagata;Y. Takamura;Y. Shuto;and S. Sugahara
  • 通讯作者：
    and S. Sugahara
Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing
使用 CoFe/MgO/Si 和 CoFe/AlOx/Si 隧道接触以及通过自由基氧退火制备的高质量隧道势垒在 Si 通道中进行自旋积累
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    J. Appl. Phys.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Taiju Akushichi;Yota Takamura;Yusuke Shuto;and Satoshi Sugahara
  • 通讯作者：
    and Satoshi Sugahara
Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices
硅通道自旋累积器件中观测到的汉勒效应信号分析
  • DOI：
    10.1063/1.4868502
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    J. Appl. Phys
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    6.Y. Takamura;T. Akushichi;A. Sadano;T. Okihio;Y. Shuto;and S. Sugahara
  • 通讯作者：
    and S. Sugahara
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Sugahara Satoshi其他文献

監査上の主要な検討事項(KAM)の分析――早期適用企業のKAMの時系列比較――
关键审计考虑因素分析 (KAM) - 早期采用者的 KAM 随时间变化的比较 -
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    東北学院大学経営学論集
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳;佐久間義浩
  • 通讯作者：
    佐久間義浩
監査上の主要な検討事項（KAM）の強制適用による影響
强制应用关键审计考虑因素 (KAM) 的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    『現代監査』
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳;佐久間義浩;徳賀芳弘;奥田真也・田中優希;木村晃久;加納慶太;YOSHIOKA Tsuyoshi;加納慶太;佐久間義浩
  • 通讯作者：
    佐久間義浩
負債と資本の表示区分ルールのリアル・エフェクト：日本の上場企業による優先株式の発行事例分析
债务与股权显示分类规则的真实效果：日本上市公司优先股发行案例分析
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久
  • 通讯作者：
    木村晃久
リース会計基準と簿記処理ー勘定の背後にある思考と課題ー
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sugahara Satoshi;Kano Keita;Ushio Sumitaka;鈴木一水・奥田真也・櫻田譲・高橋隆幸・松浦総一;木村晃久;内藤周子;YOSHIOKA Tsuyoshi;菱山淳
  • 通讯作者：
    菱山淳
Design and energy-efficient architectures for nonvolatile static random access memory using magnetic tunnel junctions
使用磁隧道结的非易失性静态随机存取存储器的设计和节能架构
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab00f5
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Kitagata Daiki;Yamamoto Shuu’ichirou;Sugahara Satoshi
  • 通讯作者：
    Sugahara Satoshi

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自旋轨道工程
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    $ 2.41万
  • 项目类别：
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    26249039
  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 2.41万
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通过半导体通道增加磁阻的研究
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  • 财政年份：
    2014
  • 资助金额：
    $ 2.41万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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