Diamond nucleation and epitaxy in the organic liquid

有机液体中的金刚石成核和外延

基本信息

批准号：
26620197
负责人：
Nishitani-Gamo Mikka
金额：
$ 1.33万
依托单位：
Toyo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（3）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

有機液体中でのカーボンナノ材料の成長に及ぼす硫黄の添加効果

添加硫对有机液体中碳纳米材料生长的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
白石理沙;白石美佳;本間匠;堀央祐;斉藤健太;安藤寿浩;小室修二;蒲生西谷美香
通讯作者：
蒲生西谷美香

有機液体中でのアモルファスカーボン薄膜の合成

有机液体中无定形碳薄膜的合成

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
白石理沙;太田拓;高橋香織;小峰真里子;白石美佳;安藤寿浩;蒲生西谷美香
通讯作者：
蒲生西谷美香

有機液体中での炭素薄膜の成長に及ぼす硫黄の添加効果

添加硫对有机液体中碳薄膜生长的影响

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
白石理沙;白石美佳;佐藤凌;安藤佳祐;安藤寿浩;小室修二;蒲生西谷美香
通讯作者：
蒲生西谷美香

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Nishitani-Gamo Mikka其他文献

Nishitani-Gamo Mikka的其他文献

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

相似国自然基金

基于金刚石纳米锥群刃的多能场复合3C-SiC微纳结构广域成形机理

批准号：
52375441
批准年份：
2023
资助金额：
50 万元
项目类别：
面上项目

快重离子辐照3C-SiC材料蠕变效应的研究

批准号：
U1832133
批准年份：
2018
资助金额：
54.0 万元
项目类别：
联合基金项目

具有荧光协同效应NMOFs/一维3C-SiC材料优化设计及对典型PAHs识别机制研究

批准号：
21771165
批准年份：
2017
资助金额：
64.0 万元
项目类别：
面上项目

4H/3C/6H碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究

批准号：
61574140
批准年份：
2015
资助金额：
64.0 万元
项目类别：
面上项目

广谱光吸收的上转换发光增强3C-SiC纳米复合结构设计及光解水研究

批准号：
51372169
批准年份：
2013
资助金额：
78.0 万元
项目类别：
面上项目

相似海外基金

Investigation of 3C-SiC as a novel spintronic compound semiconductor

3C-SiC作为新型自旋电子化合物半导体的研究

批准号：
20K22413
财政年份：
2020
资助金额：
$ 1.33万
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

Selective area growth of cubic group III-Nitrides on nano-patterned 3C-SiC (001) substrates

纳米图案 3C-SiC (001) 衬底上立方 III 族氮化物的选择性区域生长

批准号：
418748882
财政年份：
2019
资助金额：
$ 1.33万
项目类别：
Research Grants

New defect engineering; challenge for zero twin defect 3C-SiC

新缺陷工程；

批准号：
18K18934
财政年份：
2018
资助金额：
$ 1.33万
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

Growth of SiC bulk crystals by chemical vapor deposition

通过化学气相沉积法生长 SiC 块状晶体

批准号：
18K04252
财政年份：
2018
资助金额：
$ 1.33万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Increasing the thickness and quality of 3C-SiC grown on Si wafers to enable 1200V devices

提高硅晶圆上生长的 3C-SiC 的厚度和质量，以实现 1200V 器件

批准号：
102886
财政年份：
2017
资助金额：
$ 1.33万
项目类别：
Collaborative R&D

会员权益说明：