Growth of SiC bulk crystals by chemical vapor deposition
通过化学气相沉积法生长 SiC 块状晶体
基本信息
- 批准号:18K04252
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
4H-SiC C面 on-axis基板上の厚膜エピタキシャル成長
4H-SiC C 面同轴衬底上的厚膜外延生长
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:升本恵子;児島一聡;奥村元
- 通讯作者:奥村元
SiC on-axisエピタキシャル層を用いた自立基板の作製と3Cインクルージョン発生原因の評価
SiC同轴外延层自支撑衬底的制作及3C夹杂物成因评价
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:升本恵子;児島一聡;奥村元
- 通讯作者:奥村元
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Masumoto Keiko其他文献
Effects of Ultrasonic Treatment on Reduction of NaNbO3 Template Content Required for Orientation Control
超声波处理对降低取向控制所需的 NaNbO3 模板含量的影响
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Masumoto Keiko;Kojima Kazutoshi;Yamaguchi Hiroshi;Keisuke Ishii - 通讯作者:
Keisuke Ishii
Microplastics contamination in tidelands of the Osaka Bay area in western Japan
日本西部大阪湾地区滩涂的微塑料污染
- DOI:
10.1111/wej.12541 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:2
- 作者:
Nakao Satoshi;Ozaki Asako;Yamazaki Kazuo;Masumoto Keiko;Nakatani Tadashi;Sakiyama Takanori - 通讯作者:
Sakiyama Takanori
Electrical and Optical Model of Reverse Mode Liquid Crystal Cells with Low Driving Voltage
低驱动电压反向模式液晶盒的电学和光学模型
- DOI:
10.2494/photopolymer.34.315 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0.8
- 作者:
Masumoto Keiko;Kojima Kazutoshi;Yamaguchi Hiroshi;Keisuke Ishii;R. Yamaguchi and K. Inoue - 通讯作者:
R. Yamaguchi and K. Inoue
被災した鋼部材の局部座屈波形計測に基づく残余耐震性能の推定,その3:面外変形と累積塑性変形倍率 の関係
基于受损钢构件局部屈曲波形测量的残余抗震性能估计,第3部分:面外变形与累积塑性变形放大率之间的关系
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nakao Satoshi;Akita Kohsuke;Ozaki Asako;Masumoto Keiko;Okuda Tetsuji;山崎謙太,加藤淳一朗,小林遼壱,松本由香 - 通讯作者:
山崎謙太,加藤淳一朗,小林遼壱,松本由香
Masumoto Keiko的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
ワイドギャップシリコン新材料:シリコン同素体Si46はエピタキシャル成長するか?
新型宽禁带硅材料:硅同素异形体Si46可以外延生长吗?
- 批准号:
24K07584 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaAs系ナノワイヤの大容量分子線エピタキシャル成長と光電変換応用
Si衬底上大容量GaAs纳米线分子束外延生长及光电转换应用
- 批准号:
24KJ0323 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
エピタキシャル遷移金属炭化物を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長
使用外延过渡金属碳化物进行过渡金属二硫属化物的晶体生长
- 批准号:
24K01347 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
リチウム金属の電気化学エピタキシャル成長
锂金属的电化学外延生长
- 批准号:
23K23451 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
六方和闪锌矿结构氮化硼的高温气相外延生长及电导率控制
- 批准号:
23K22786 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)