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Formation and characterization of MoS2 pn junction with atomically sharp impurity profile
具有原子级尖锐杂质分布的 MoS2 pn 结的形成和表征
基本信息
- 批准号：15K13941
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
"Direct Evidence of Defect-defect Correlation in Atomically Thin MoS2 Layer by Random Telegraphic Signals Observed in Back-gated FETs"
“通过在背栅 FET 中观察到的随机电报信号，直接证明原子薄 MoS2 层中缺陷与缺陷之间的相关性”
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N.Fang;K.Nagashio;and A.Toriumi
- 通讯作者：and A.Toriumi
"Random telegraphic signals observed in atomically thin MoS2 FETs"
“在原子级厚度的 MoS2 FET 中观察到的随机电报信号”
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Toriumi;N. Fang and K. Nagashio
- 通讯作者：N. Fang and K. Nagashio
"Defect position analysis in MoS2 FETs by random telegraphic signals"
“通过随机电报信号分析 MoS2 FET 中的缺陷位置”
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：方 楠;長汐 晃輔;鳥海 明
- 通讯作者：鳥海 明
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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