Extended wide-gap semiconductors for efficient photocatalytic activity
扩展的宽禁带半导体可实现高效的光催化活性
基本信息
- 批准号:15K13763
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(24)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Plasmonic transfer of near-field light from subwavelength objects through a gold-nanorod chain
来自亚波长物体的近场光通过金纳米棒链的等离子体传输
- DOI:10.7567/apex.11.102001
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Ohashi Y;Ranjan B;Saito Y;Umakoshi T;Verma P
- 通讯作者:Verma P
Recent developments in plasmon-supported Raman spectroscopy:Chapter 12 Tip-Enhanced Raman Scattering of Nanocarbons
等离子体支持拉曼光谱的最新进展:第12章纳米碳的尖端增强拉曼散射
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Sanpon Vantasin;Yoshito Okuno;Yuika Saito;Yukihiro Ozaki ; K.Kneipp;T.Zhongqun;Y. Ozaki ed.
- 通讯作者:Y. Ozaki ed.
Raman imaging of lipid bilayer membrane by surface enhanced Raman scattering, SPIE Biomedical Vibrational Spectroscopy
通过表面增强拉曼散射、SPIE 生物医学振动光谱对脂质双层膜进行拉曼成像
- DOI:10.1117/12.2286839
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Mori M;Abe S;Kondo T;Saito Y
- 通讯作者:Saito Y
近接場ラマン顕微鏡: Near-field Raman microscope
近场拉曼显微镜: 近场拉曼显微镜
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:森基彰;安倍駿介;近藤崇博;齊藤結花;Yuika Saito;齊藤結花;齊藤結花
- 通讯作者:齊藤結花
Direct and Indirect Interlayer Excitons in a van der Waals Heterostructure of hBN/WS2/MoS2/hBN
- DOI:10.1021/acsnano.7b08253
- 发表时间:2018-03-01
- 期刊:
- 影响因子:17.1
- 作者:Okada, Mitsuhiro;Kutana, Alex;Kitaura, Ryo
- 通讯作者:Kitaura, Ryo
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Saito Yuika其他文献
Saito Yuika的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Saito Yuika', 18)}}的其他基金
Development of near-field Raman microscope utilizing fluctuation
利用波动的近场拉曼显微镜的开发
- 批准号:
17H02725 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Nanoscale polarization imaging by near-field Raman microscope
近场拉曼显微镜纳米级偏振成像
- 批准号:
24560028 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
ERI: A Machine Learning Framework for Preventing Cracking in Semiconductor Materials
ERI:防止半导体材料破裂的机器学习框架
- 批准号:
2347035 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Standard Grant
Development of base-metal-catalyzed reactions applicable for new design of organic semiconductor materials
开发适用于有机半导体材料新设计的贱金属催化反应
- 批准号:
22KJ0667 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体ナノ構造を用いた電子・フォノン輸送制御による高性能磁気熱電変換材料の開発
利用半导体纳米结构控制电子和声子传输开发高性能磁热电转换材料
- 批准号:
22KJ2208 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
N-Doping of Organic Semiconductor Materials
有机半导体材料的N掺杂
- 批准号:
2223922 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Standard Grant
Plasma annealing for defect passivation in semiconductor materials
用于半导体材料缺陷钝化的等离子体退火
- 批准号:
23K03374 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)